MMBT5551LT1 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MMBT5551LT1
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内容描述：	NPN外延硅晶体管 [NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	2 页 / 153 K
品牌：	WINNERJOIN [ SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD ]

RoHS指令

MMBT5551LT1

典型特征

500

300

200

100

-55 C

。

=125 C

+25 C

。

=1.0V

=5.0V

，电流增益

7.0

5.0

0.1

0.2

0.3

0.5

0.7

1.0

2.0

3.0

5.0

7.0

集电极电流（毫安）

直流电流增益

集电极发射极

电压（伏）

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

=1.0mA

0.005

0.01

0.02

0.05

10mA

0.2

100

=25 C

。

30mA

100mA

0.1

0.5

1.0

2.0

5.0

基极电流（毫安）

集电极饱和区

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