RoHS指令
MMBT5551LT1
NPN外延硅晶体管
SOT-23
高压晶体管
集电极耗散：PC -为225mW （ TA = 25 ）
集电极Emiller电压： V
首席执行官=
160V
1.
3
o
1
2
2.4
1.3
绝对最大额定值
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散
TA = 25℃ *
结温
储存温度
o
符号
V
CBO
V
首席执行官
电气特性
参数
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 基截止电流
发射基截止电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
集电极 - 发射极击穿电压＃
W
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极饱和电压
电流增益带宽积
J
E
E
C
E
L
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
h
FE3
V
CE （ SAT ）
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
R
T
V
EBO
Ic
T
j
P
D
T
英镑
O
N
50
50
C
I
等级
180
160
6
600
225
150
-55~150
V
V
V
nA
nA
C
O
0.4
1.BASE
2.EMITTER
3.COLLECTOR
2.9
1.9
L
,
.
单位：mm
D
T
0.95
0.95
（ TA = 25℃ ）
o
单位
V
V
V
mA
mW
O
O
C
C
（ TA = 25℃ ）
o
MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
180
160
6
条件
I
C
= 100 A I
E
=0
I
C
= 1毫安我
B
=0
I
E
= 10 A I
C
=0
V
CB
=120V, V
C
=0
V
CB
= 4V ，我
C
=0
V
CE
= 5V ，我
C
=1mA
V
CE
= 5V ，我
C
=-10mA
80
80
30
250
0.5
0.15
1
1
100
300
o
V
CE
= 5V ，我
C
=50mA
V
V
V
V
I
C
= 50mA时我
B
=5mA
I
C
= 10毫安，我
B
=1mA
I
C
= 50mA时我
B
=1mA
I
C
= 10毫安，我
B
=1mA
兆赫V
CE
= 10V ，我
C
=10mA,f=100MHz
*器件总功耗： FR = 1X0.75X0.062在局减额
25 C
#
脉冲测试：脉冲宽度300US占空比2 ％
器件标识：
2N5551S=Z1
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