威伦
低电容双向双重ESD保护二极管
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
包
•
批量处理的设计,出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
FM120-M
SESOTA05BC
THRU
FM1200-M
包装外形
SOD-123H
无铅全国生产
特点
•
低调的表面安装,以便应用程序
优化电路板空间。
•
低功耗,高效率。
•
高电流能力,低正向电压降。
•
高浪涌能力。
•
Guardring过电压保护。
•
超高速开关。
•
硅外延平面芯片,金属硅交界处。
•
无铅零件符合环保标准
•
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 ( 0.3 )典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
机械数据
•
环氧树脂: UL94 -V0额定阻燃
•
案例:模压塑料, SOD- 123H
,
•
端子:镀金端子,符合MIL -STD- 750焊接的
方法2026
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 ( 0.8 )典型值。
0.031 ( 0.8 )典型值。
•
极性:由阴极频带指示
•
安装位置:任意
•
重量:的逼近
波形
Fig2 。 ESD脉冲
0.011克
在25 ℃的环境温度,除非另有规定等级。
单相半波,60赫兹,感性负载的电阻。
对于容性负载,减免电流20 %
评级
尺寸以英寸(毫米)
Fig3.Peak脉冲功率耗散为
根据IEC 61000-4-2
电气特性
时间,典型值
脉冲的功能
最大额定值和
应用说明
静电
标识代码
最大RMS电压
放电(ESD)是失败的电子系统中的一个主要原因。短暂
10
电压
115
12
13
14
15
16
18
20
30
40
50
60
80
V
RRM
选择ESD保护。它们能够夹住的
100
来
150
70
105
150
V
DC
I
O
20
30
40
50
60
80
100
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
最大的经常峰值反向电压
抑制器( TVS)是一种理想
120
200
140
200
最大直流阻断电压
14
21
35
56
V
RMS
暂态到一个足够低的水平,使得损坏被保护
28
半导体
42
预防的。
is
1.0
最大正向平均整流电流
表面贴装TVS阵列提供了最小的引线电感的最佳选择。他们作为并行
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
保护元件,连接之间
该信号线到地。作为瞬时上升到高于
该装置的工作电压,所述瞬态
I
FSM
阵变为低阻抗路径
30
转向瞬态
电流到地。该SESOTA05BC
R
数组是ESD敏感的理想董事会伊维尔基尼保护
40
θJA
120
半导体元件。
典型结电容(注1 )
C
J
-55到+125
-55
工作温度范围
T
这种微小的SOT- 23封装使设计
J
中的高密度电路板,其中所述的设计灵活性
+150
空间
典型热阻(注2 )
存储温度范围
节约是十分宝贵的。这使得能够缩短路由,并有助于硬化防止ESD 。
特征
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
TSTG
-
65
到+175
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
V
F
@T A = 125 ℃
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
I
R
注意事项:
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
2012-09
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子股份有限公司