FM120-M
SESOTA05BC
THRU
低电容双向双重ESD保护二极管
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
包
威伦
无铅全国生产
特点
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
电气参数
电流和耐热性。
更好的反向漏
•
低调的表面安装，以便应用程序
包装外形
SOD-123H
符号
参数
•
低功耗，高效率。
最大
低正向
峰值脉冲
•
I
高电流能力，
反向
电压降。
PP
当前
•
高浪涌能力。
Guardring过电压保护。
•
V
C
钳位电压@ I
PP
•
超高速开关。
V
RWM
外延平面芯片，金属硅交界处。
•
硅
工作峰值反向电压
•
无铅零件符合环保标准
最大反向漏电流
I
R
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
@ V
RWM
•
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
I
T
测试电流
无卤素产品的包装代号后缀"H"
优化电路板空间。
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
机械数据
V
BR
击穿电压@ I
T
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
,
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
电气特性
方法2026
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
V
RM
I
RM
对于容性负载，减免电流20 ％
尺寸以英寸（毫米）
•
极性：由阴极频带指示
最大
最大
最大
最大
击穿
评级
•
安装位置：任意
泄漏
夹紧
脉冲峰值Capacita
电压
对峙
0.011克
•
重量：的逼近
当前
电压
当前
的nCE
电压
产品编号
最大额定值和电气特性
@ V
RM
1毫安V
BR
1A
1)
5A
1)
tp=8/20us
0V ， 1MHz的
V
最大
V
9.5
13
30
21
30
14
9.8
40
28
40
V
CL
V
10
I
PPM
A
12
18
80
56
80
1.0
30
C
pF
35
115
150
105
150
SESOTA05BC
标识代码
最大RMS电压
评级
V
µA
5.0
1.0
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
民
5.5
典型值
最大的经常峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
6.7
12
20
14
20
15
50
35
50
16
60
42
60
10
100
70
100
120
200
140
200
典型特征
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
存储温度范围
-55到+125
40
120
-55到+150
-
65
到+175
特征
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
V
F
@T A = 125 ℃
0.50
0.9
0.70
0.85
Fig1 。 8 / 20US根据脉冲波形
0.5
为IEC61000-4-5
10
0.92
I
R
注意事项：
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
2012-09
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子股份有限公司
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
