威伦
瞬态电压抑制器ESD保护
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
包
FM120-M
SESD3ZxxV
THRU
FM1200-M
包装外形
SOD-123H
无铅产品
特点
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
应用说明
更好的反向漏电流和耐热性。
静电放电（ESD ）是失败的电子系统中的一个主要原因。瞬态电压
•
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板
抑制器（ TVS ）
空间。
用于ESD保护的理想选择。它们能够夹紧传入的
是一个
0.146(3.7)
•
低功耗，高效率。
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
瞬变到低
能力，
水平
前锋
该损坏被保护
防止半导体。
•
HIGH CURRENT
够了
低
这样
电压降。
•
高浪涌能力。
表面贴装TVS提供了最小的引线电感的最佳选择。他们作为并行
•
Guardring过电压保护。
保护
高速开关。
0.071(1.8)
•
超
元件，连接在所述信号线之间的接地。作为瞬时上升到高于
0.056(1.4)
•
硅外延
该装置中，所述
硅结。
工作电压
平面芯片，金属
TVS变为低阻抗路径转移到瞬态电流
•
无铅零件符合环保标准
地面上。该SESD3ZxxC是ESD敏感的半导体元件的理想董事会伊维尔基尼保护。
节省空间是非常宝贵的。这使得能够缩短路由，并有助于硬化反
ESD 。
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
,
SOD- 323机械数据
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
方法2026
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
•
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
设计
这种微小的SOD- 323封装允许
无卤素产品的包装代号后缀"H"
中的高密度电路板的设计的灵活性，其中所述
0.040(1.0)
0.024(0.6)
机械数据
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
.106(2.70)
.057(1.45)
.010(0.25)
.045(1.15)
尺寸以英寸（毫米）
.016(0.40)
•
极性：由阴极频带指示
.091(2.30)
•
安装位置：任意
.075(1.90)
•
重量：的逼近0.011克
.059(1.50)
.043(1.10)
.031(0.80)
最大额定值和电气特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
评级
标识代码
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
.004(0.10)MAX.
15
50
35
50
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
R
θJA
12
20
14
20
13
30
14
40
28
40
16
60
42
60
1.0
30
40
120
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
.008(0.20)
30
.004(0.10)
21
V
V
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
存储温度范围
.016(0.40)
.010(0.25)
.010(0.25)MIN.
T
J
TSTG
C
J
-55到+125
-55到+150
℃
-
65
到+175
特征
最大正向电压在1.0A DC
尺寸以英寸（毫米）
V
F
0.50
I
R
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
U
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
@T A = 125 ℃
m
注意事项：
记号
类型编号
SESD3Z12C
标识代码
CC
12C
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
2012-09
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子股份有限公司
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
