威伦
瞬态电压抑制器
势垒整流器-20V- 200V
1.0A表面贴装肖特基
对于ESD保护
SOD-123
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
一般
型材表面安装，以便应用程序
•
低
描述
优化电路板空间。
该SESD3ZxxC旨在保护电压
•
低功耗，高效率。
来自敏感元件
低正向压降。
•
高电流能力，
ESD和瞬态电压
•
高浪涌能力。
事件。出色的钳位能力，低泄漏，并
•
Guardring过电压保护。
快速响应时间，使这些器件非常适合ESD
•
超高速开关。
关于保护设计中
金属硅交界处。
在
•
硅外延平面芯片，
电路板空间
•
无铅零件符合环保标准
溢价。
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
•
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
FM120-M
SESD3ZxxC
THRU
FM1200-M
包
无铅全国生产
特点
包装外形
特点
低矮的车身高度
低漏电流
响应时间通常< 1纳秒
人体模型
SOD-123H
小机身外形尺寸
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
峰值功率高达350瓦@ 8 ×20 μs的脉冲
0.071(1.8)
0.056(1.4)
ESD额定值3类（ > 16千伏）每个人
应用
机械数据
手机
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
便携式设备
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
数码相机
终端，每MIL -STD -750焊接的，
•
端子：镀
符合下列标准
电源
2026
法
IEC61000-4-2
尺寸以英寸（毫米）
•
极性：由阴极频带指示
•
安装位置：任意
•
重量：的逼近0.011克
无铅封装可用
符合RoHS的产品包装代号后缀
0.040(1.0)
”G”
0.024(0.6)
对于无卤素产品包装代号后缀为“H”
4级
15千伏（空气放电）
8千伏（接触放电）
MIL STD 883E - 方法3015-7 3级
最大额定值和电气特性
25千伏HBM （人体模型）
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
工作原理图
评级
标识代码
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
12
20
14
20
13
30
21
30
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
42
60
1.0
30
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
存储温度范围
-55到+125
40
120
-55到+150
-
65
到+175
SOD-323
特征
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
V
F
I
R
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
绝对额定值（T
AMB
=25
°
C)
@T A = 125 ℃
符号
注意事项：
参数
价值
单位
P
PK
峰值脉冲功率（ T = 8 /20μS ）
1测得1 MHz和应用反向电压
p
4.0 VDC 。
350
260
-55〜 155
-40到+125
150
W
°C
°C
°C
°C
2-热阻结点到环境
T
L
最大的铅温度
对于在10秒焊接
T
英镑
T
op
T
J
存储温度范围
工作温度范围
最高结温
2012-09
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子股份有限公司
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
