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SEMF3V3LC_12 参数 Datasheet PDF下载

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型号: SEMF3V3LC_12
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内容描述: 低电容四阵列的ESD保护说明 [Low Capacitance Quad Array for ESD Protection Description]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 546 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
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威伦
低电容四阵列的ESD保护说明
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
批量处理的设计,出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装,以便应用程序
优化电路板空间。
低功耗,高效率。
高电流能力,低正向电压降。
高浪涌能力。
Guardring过电压保护。
超高速开关。
硅外延平面芯片,金属硅交界处。
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
SOD-123H
SEMF3V3LC
FM120-M
THRU
FM1200-M
无铅产品
特点
包装外形
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 ( 0.3 )典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
机械数据
图3反向漏与温度的关系
环氧树脂: UL94 -V0额定阻燃
案例:模压塑料, SOD- 123H
,
端子:镀金端子,符合MIL -STD- 750焊接的
方法2026
图4电容
0.031 ( 0.8 )典型值。
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 ( 0.8 )典型值。
极性:由阴极频带指示
安装位置:任意
重量:的逼近0.011克
尺寸以英寸(毫米)
最大额定值和电气特性
在25 ℃的环境温度,除非另有规定等级。
单相半波,60赫兹,感性负载的电阻。
对于容性负载,减免电流20 %
评级
标识代码
最大的经常峰值反向电压
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
 
图5 8 * 20的脉冲波形
最大RMS电压
V
RMS
最大直流阻断电压
 
V
RRM
V
DC
I
O
 
I
FSM
12
20
14
20
13
30
21
30
.004(0. 10 )
.01 8( 0. 46 )
14
40
28
40
图6正向电压
35
42
56
50
60
1.0
 
30
40
120
80
15
50
16
60
18
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
SOT -353机械数据
.071(1.80)
最大正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流
( 2 . 2 0 )
单一正弦半波
.0 8 6
8.3毫秒
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
 
 
典型热阻(注2 )
工作温度范围
存储温度范围
(
.05
典型值。
1.30
TYP 。 )
.031(0.80)
R
θJA
 
典型结电容(注1 )
C
J
T
J
.039(1.00)
 
-55到+125
 
-55到+150
 
-
65
到+175
.031(0.80)
.039(1.00)
TSTG
 
.045(1.15)
. 0 5 3 ( 1. 35 )
. 07 1 ( 1 . 80 )
. 0 9 6 (2 .4 5 )
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
注意事项:
V
F
@T A = 125 ℃
0.50
0.70
0.5
10
.006(0.15)
.014(0.35)
0.85
0.9
.031(0.80)
.043(1.10)
特征
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
0.92
 
I
R
 
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
 
 
2-热阻结点到环境
0.50BSC
.020BSC
.004(0.08)
.007(0.18)
尺寸以英寸(毫米)
2012-0
2012-06
威伦电子股份有限公司。
公司
威伦电子