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SEMF3V3LC_12 参数 Datasheet PDF下载

SEMF3V3LC_12图片预览
型号: SEMF3V3LC_12
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内容描述: 低电容四阵列的ESD保护说明 [Low Capacitance Quad Array for ESD Protection Description]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 546 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
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威伦
低电容四阵列的ESD保护说明
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
FM120-M
SEMF3V3LC
THRU
FM1200-M
无铅产品
特点
电气参数
出色的功耗报价
批量工艺设计,
更好的反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装,以便应用程序
优化电路板空间。
低功耗,高效率。
符号
参数
高电流能力,低正向电压降。
能力。
高浪涌
最大反向峰值脉冲电流
I
PP
Guardring过电压保护。
V
C
钳位电压@ I
PP
超高速开关。
V
RWM
外延平面芯片,金属硅交界处。
工作峰值反向电压
无铅零件符合环保标准
最大
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
反向漏电流
I
R
V
符合RoHS的产品
RWM
包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
I
T
测试电流
包装外形
SOD-123H
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 ( 0.3 )典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
@
V
BR
击穿电压@ I
T
环氧树脂: UL94 -V0额定阻燃
I
F
正向电流
案例:模压塑料, SOD- 123H
,
V
F
正向电压@ I
F
端子:镀金端子,符合MIL -STD- 750焊接的
方法2026
机械数据
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 ( 0.8 )典型值。
0.031 ( 0.8 )典型值。
极性:由阴极频带指示
电气特性
安装位置:任意
产品编号
重量:的逼近0.011克
V
BR
尺寸以英寸(毫米)
V
F
马克斯。
V
15
50
35
50
C
I
F
典型值。
0v
BIAS
pF
10
100
70
100
最大额定值和电气特性
I
T
V
RWM
I
R
分钟。
典型值。马克斯。
在25 ℃的环境温度,除非另有规定等级。
 
单相半波,60赫兹,感性负载的电阻。
对于容性负载,减免电流20 %
V
V
V
mA
1
12
20
V
3.3
13
30
14
40
28
40
µA
1.0
mA
18
80
56
80
标识代码
SEMF3V3LC
评级
5.3
5.6
5.88
1.
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
U
1.25
16
60
42
60
200
28
1.非重复性电流每
最大的经常峰值反向电压
科幻gure
最大RMS电压
2.只有1二极管
最大直流阻断电压
 
V
RRM
115
150
105
150
120
200
140
200
V
14
21
V
RMS
下力量。根据功率4二极管
30
I
O
V
最大正向平均整流电流
20
V
DC
3.
一个二极管的在f = 1MHz的,T电容
A
=25℃
 
I
FSM
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
V
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
典型特征
1.0
 
30
A
 
 
A
典型热阻(注2 )
典型结电容(注1 )
工作温度范围
存储温度范围
 
 
-55到+125
40
120
 
-55到+150
 
-
65
到+175
 
特征
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
 
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
U
V
F
@T A = 125 ℃
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
 
V
I
R
m
注意事项:
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
 
 
图1脉冲宽度
图2功率降额曲线
2012-0
2012-06
威伦电子股份有限公司。
公司
威伦电子