威伦
SOT- 23塑封装的MOSFET
-20V- 200V
1.0A表面贴装肖特基二极管
SOD-123
包
•
批量处理的设计,出色的功耗报价
FM120-M
SE3415
THRU
FM1200-M
特点
包装外形
典型特征
10
无铅机生产线
输出特性
更好的反向漏电流和耐热性。
•
低调的表面安装,以便应用程序
T
a
=25
℃
优化电路板空间。
-3.0V
-8.0V
脉冲
•
低功耗,高效率。
=-2.0V
V
GS
-4.5V
-2.5V
20
•
高电流能力,低正向电压降。
•
高浪涌能力。
•
Guardring过电压保护。
15
•
超高速开关。
•
硅外延平面芯片,金属硅交界处。
•
无铅零件符合环保标准
10
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
V
GS
=-1.5V
•
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
25
5
传输特性
SOD-123H
T
a
=25
℃
脉冲
8
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 ( 0.3 )典型值。
(A)
I
D
漏电流
I
D
6
(A)
漏电流
0.071(1.8)
0.056(1.4)
4
机械数据
2
0.040(1.0)
0.024(0.6)
•
环氧树脂: UL94 -V0额定阻燃
•
案例:模压塑料, SOD- 123H
0
,
0
1
2
3
4
5
•
端子:镀金端子,符合MIL -STD- 750焊接的
漏极至源极电压V
(V)
方法2026
DS
0
0.0
0.031 ( 0.8 )典型值。
0.5
1.0
1.5
0.031 ( 0.8 )典型值。
2.0
栅极至源极电压
V
GS
(V)
•
极性:由阴极频带指示
•
安装位置:任意
R
DS ( ON)
—— I
D
80
•
重量:的逼近0.011克
T =25
℃
脉冲
(m
Ω
)
70
a
尺寸以英寸(毫米)
60
R
DS ( ON)
——
V
GS
T
a
=25
℃
脉冲
最大额定值和电气特性
55
(m
Ω
)
导通电阻
R
DS ( ON)
50
45
R
DS ( ON)
在25 ℃的环境温度,除非另有规定等级。
单相半波,60赫兹,感性负载的电阻。
对于容性负载,减免电流20 %
60
V
GS
=-1.8V
导通电阻
评级
标识代码
50
最大
V
GS
=-2.5V
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -M
I = -4A
经常峰值反向电压
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
9
10
12
20
14
13
30
21
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
D
18
80
56
10
100
70
115
150
105
150
120
200
140
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
40
42
60
1.0
30
40
20
30
35
80
100
200
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
2
4
5
6
叠加
3
额定负荷( JEDEC的方法)
30
7
8
V
GS
=-4.5V
6
8
10
30
0
2
4
漏电流I
D
(A)
典型热阻(注2 )
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
栅极至源极电压
典型结电容(注1 )
工作温度范围
存储温度范围
-55到+125
40
120
V
GS
(V)
-55到+150
-
65
到+175
(A)
10
I
S
——
V
SD
T
a
=25
℃
脉冲
特征
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-M
最大正向电压在1.0A DC
1
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
I
S
源出电流
0.1
V
F
@T A = 125 ℃
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
I
R
注意事项:
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
0.01
2-热阻结点到环境
1E-3
1E-4
2012-06
1E-5
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
源极到漏极电压
V
SD
(V)
威伦电子COR
2012-10
威伦电子股份有限公司。