威伦
SOT- 23塑封装的MOSFET
-20V- 200V
1.0A表面贴装肖特基二极管
SOD-123
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
•
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
•
低功耗，高效率。
P通道20 -V （D -S ）的MOSFET
•
高电流能力，低正向电压降。
•
高浪涌能力。
•
Guardring过电压保护。
特征
•
超高速开关。
优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷，低栅极电压
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
•
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
应用
•
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
负荷开关和
产品包装代号后缀"H"
无卤
在PWM applicatopns
FM120-M
SE3415
THRU
FM1200-M
包
无铅机生产线
特点
包装外形
SOD-123H
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
SOT-23
0.071(1.8)
0.056(1.4)
1.门
2.源
3.排水
0.040(1.0)
0.024(0.6)
机械数据
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
无铅封装可用
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
符合RoHS的产品包装代号后缀“G”
MIL -STD- 750 ，
•
端子：镀金端子，每焊
方法2026
对于无卤素产品包装代号后缀为“H”
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
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极性：由阴极频带指示
•
安装位置：任意
•
重量：的逼近0.011克
尺寸以英寸（毫米）
D
最大额定值和电气特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
评级
标识代码
G
标记：
R15
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -M
最大的经常峰值反向电压
最大直流阻断电压
V
RRM
V
DC
I
O
I
FSM
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
12
20
20
13
30
21
30
14
S
40
28
40
15
50
35
50
16
60
42
60
1.0
30
40
120
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
14
最大RMS电压
V
RMS
最大额定值（T
a
= 25℃除非另有说明）
最大正向平均整流电流
参数
符号
V
DS
V
GS
I
D
P
D
价值
-20
单位
V
漏源电压
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
栅源电压
典型热阻（注2 ）
±8
-4.0
0.35
357
0.50
连续漏电流
（注1 ）
典型结电容
(t≤10s)
操作
功耗
最大
温度范围
(t≤10s)
-55到+125
A
W
℃/W
-
65
到+175
-55到+150
从结点到环境的热阻
工作结温
特征
最大正向电压
储存温度
在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
存储温度范围
R
θJA
T
英镑
T
J
150
℃
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-M
V
F
0.70
-55 ~+150
0.85
0.5
10
℃
0.9
0.92
@T A = 125 ℃
I
R
注意事项：
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
2012-06
威伦电子COR
2012-10
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
