威伦
SOT- 23塑封装的MOSFET
-20V- 200V
1.0A表面贴装肖特基二极管
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
FM120-M
SE2312
THRU
FM1200-M
特点
包装外形
典型特征
10
SOD-123
包
无铅全国生产
输出特性
更好的反向漏电流和耐热性。
订单
•
低调的表面安装应用程序
Ta=25
o
C
to
V
GS
= 2到4.5
优化电路板空间。
•
低功耗，高效率。
•
高电流能力，低正向电压降。
12
•
高浪涌能力。
•
Guardring过电压保护。
V
GS
=1.5V
•
超高速开关。
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
8
•
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
•
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
4
16
传输特性
SOD-123H
8
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
(A)
I
D
I
D
6
(A)
漏电流
漏电流
0.071(1.8)
0.056(1.4)
4
机械数据
2
0.040(1.0)
0.024(0.6)
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
V =1V
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
0
,
0
1
2
3
4
5
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
GS
0
0.4
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.031 （ 0.8 ）典型值。
1.6
1.8
TA = 25℃
o
漏源极电压
方法2026
V
DS
(V)
栅极至源极电压
V
GS
(V)
•
极性：由阴极频带指示
•
安装位置
I
：任何
—— V
SD
S
20
重量：的逼近0.011克
•
10
尺寸以英寸（毫米）
R
DS （ ON）
——
100
V
GS
TA = 25℃
o
最大额定值和电气特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
1
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
I
S
(A)
源出电流
(mΩ)
导通电阻
R
DS （ ON）
80
评级
60
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
0.1
标识代码
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
0.01
最大正向平均整流电流
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
o
TA = 25℃
I
FSM
1.0
12
20
14
20
13
30
21
30
20
40
14
40
28
40
15
50
35
50
I
D
=3.0A
16
60
42
60
1.0
30
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
0.0
0.2
0.4
0.6
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
1E-3
0.8
6
8
1.2
0
2
4
源极到漏极
典型热阻（注2 ）
电压V
SD
(V)
R
θJA
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
C
J
T
J
-55到+125
栅极至源极电压
40
V
120
GS
(V)
-
65
到+175
-55到+150
R
存储温度范围
DS （ ON）
60
——
I
D
TSTG
TA = 25℃
o
特征
最大正向电压在1.0A DC
(mΩ)
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
V
F
@T A = 125 ℃
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
50
注意事项：
40
导通电阻
R
DS （ ON）
额定阻断电压DC
V
GS
=1.8V
I
R
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
30
V
GS
=2.5V
20
V
GS
=4.5V
10
2012-06
0
2
4
6
8
10
12
14
16
漏电流
I
D
(A)
威伦电子股份有限公司
2012-10
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
