威伦
SOT- 23塑封装的MOSFET
-20V- 200V
1.0A表面贴装肖特基二极管
SOD-123
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
•
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
•
低功耗，高效率。
•
高电流能力，低正向电压降。
•
高浪涌能力。
N通道20 -V （D -S ）的MOSFET
•
Guardring过电压保护。
•
超高速开关。
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
应用
部分符合环保标准
•
LEAD -FREE
MIL-STD-19500
DC / DC转换器
/228
•
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
负载
无卤素产品的包装代号后缀"H"
开关用于便携式应用
FM120-M
SE2312
THRU
FM1200-M
包
无铅全国生产
特点
包装外形
SOD-123H
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
SOT-23
0.071(1.8)
0.056(1.4)
无铅封装可用
机械数据
•
环氧树脂： UL94 -V0阻燃评分
CODE
符合RoHS的产品包装
阻燃
后缀“ G”
•
案例模压塑料，
卤素
:
免费产品
SOD-123H
包装代号后缀为“H”
,
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
方法2026
1.门
2.源
3.排水
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
•
极性：由阴极频带指示
•
安装位置：任意
•
重量：的逼近0.011克
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
标记：
S12
标识代码
评级
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大正向平均整流电流
V
RRM
V
RMS
I
O
12
20
14
13
30
21
30
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
42
60
1.0
价值
30
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
最大直流
20
V
DC
最大
阻断电压
收视率（T
a
= 25℃除非另有说明）
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
参数
漏源电压
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
I
FSM
R
θJA
C
J
T
J
t=5s
TSTG
符号
V
DS
V
GS
I
D
单位
典型热阻（注2 ）
20
±8.0
5
20
0.50
栅源电压
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
连续漏电流
-55到+125
40
120
-55到+150
V
-
65
到+175
漏电流脉冲
存储温度范围
I
DM
A
0.85
连续源极 - 漏极二极管电流
特征
最大
最大
正向电压在1.0A DC
功耗
额定阻断电压DC
I
S
1.04
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
V
F
t=5s
I
R
从结点到环境的热阻
@T A = 125 ℃
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
P
D
R
θJA
T
J
T
英镑
0.70
0.35
357
150
0.5
10
W
0.9
℃/W
℃
0.92
结温
储存温度
的4.0伏直流施加反向电压。
1测得1 MHz和
注意事项：
-50 ~+150
2-热阻结点到环境
2012-06
威伦电子COR
2012-10
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
