威伦
SOT- 23塑封装的MOSFET
-20V- 200V
1.0A表面贴装肖特基二极管
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
20
FM120-M
SE2304
THRU
FM1200-M
特点
包装外形
典型特征
5
SOD-123
包
无铅机生产线
(A)
15
10
漏电流
更好的反向漏电流和耐热性。
输出特性
•
低调的表面安装，以便应用程序
V =10V,9V,8V,7V,6V,5V
T
a
=25
℃
OPTIMIZE
GS
电路板空间。
脉冲
•
低功耗，高效率。
•
高电流能力，低正向电压降。
•
高浪涌能力。
V
GS
=4V
•
Guardring过电压保护。
•
超高速开关。
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
•
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
•
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
V
GS
苏FFI X
无卤素产品包装代码
=3V
＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;
传输特性
SOD-123H
T
a
=25
℃
脉冲
0.146(3.7)
0.130(3.3)
4
0.012 （ 0.3 ）典型值。
I
D
(A)
3
漏电流
0.071(1.8)
0.056(1.4)
I
D
2
5
机械数据
GS
1
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
V =2V
0
,
0
•
端子：镀金端子，焊
10
2
4
6
8
12
每MIL -STD- 750
漏源极电压
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0
方法2026
V
DS
(V)
栅极至源极电压
1
2
V
GS
3
(V)
4
•
极性：由阴极频带指示
•
安装位置：任意
R
DS （ ON）
—— I
D
150
•
重量：的逼近0.011克
T
a
=25
℃
脉冲
尺寸以英寸（毫米）
R
DS （ ON）
——
500
V
GS
T
a
=25
℃
脉冲
最大额定值和电气特性
400
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
120
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
(m
Ω
)
(m
Ω
)
300
90
评级
导通电阻
最大的经常峰值反向电压
60
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
V
RRM
V
RMS
I
O
I
FSM
16
20
30
V
GS
=10V
V
DC
14
20
导通电阻
标识代码
V
GS
=4.5V
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -M
12
20
13
30
200
21
30
100
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
42
I
D
=2.5A
60
18
80
56
80
1.0
30
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
12
0
4
8
漏电流I
D
(A)
典型热阻（注2 ）
0
6
0
R
θJA
C
J
T
J
0
2
4
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
存储温度范围
I
S
10
-55到+125
门源
40
电压
V
8
10
GS
120
(V)
-
65
到+175
-55到+150
——
V
SD
TSTG
T
a
=25
℃
脉冲
特征
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-M
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
I
S
V
F
@T A = 125 ℃
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
源出电流
(A)
1
I
R
注意事项：
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
0.1
0.01
0
800
2012-06
200
来源
400
漏
600
TO
电压V
1E-3
1000
1200
SD
（毫伏）
威伦电子COR
2012-
0
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
