威伦
SOT- 23塑封装的MOSFET
-20V- 200V
1.0A表面贴装肖特基二极管
SOD-123
•
批量处理的设计,出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
•
低调的表面安装,以便应用程序
N沟道
优化电路板空间。
30 -V (D -S )的MOSFET
•
低功耗,高效率。
•
高电流能力,低正向电压降。
•
特征
高浪涌能力。
•
Guardring过电压保护。
TrenchFET
高速开关。
•
超
功率MOSFET
•
硅外延平面芯片,金属硅交界处。
•
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
•
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
FM120-M
包
SE2304
THRU
FM1200-M
无铅机生产线
特点
包装外形
SOD-123H
0.130(3.3)
SOT-23
0.146(3.7)
0.012 ( 0.3 )典型值。
1.门
2.源
3.排水
0.071(1.8)
0.056(1.4)
机械数据
应用
环氧树脂
负载
•
开关
: UL94 -V0评分
器件
便携式
阻燃
•
案例:模压塑料, SOD- 123H
DC / DC转换器
,
•
端子:镀金端子,符合MIL -STD- 750焊接的
无铅封装
2026
可用的
法
RoHS指令
极性:由阴极频带指示
•
产品包装代号后缀“G”
•
重量:的逼近0.011克
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 ( 0.8 )典型值。
0.031 ( 0.8 )典型值。
尺寸以英寸(毫米)
•
MOUNTING
产品
无卤
位置:任意
包装代号后缀为“H”
最大额定值和电气特性
在25 ℃的环境温度,除非另有规定等级。
单相半波,60赫兹,感性负载的电阻。
对于容性负载,减免电流20 %
评级
标记: S4
标识代码
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 -MH FM1200-
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
V
RRM
V
RMS
V
DC
12
20
14
20
13
30
21
30
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
42
60
1.0
价值
30
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
最大
平均正向
= 25℃除非另有说明)
收视率(T
a
整流电流
最大
I
O
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
参数
I
FSM
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
单位
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
漏源电压
典型热阻(注2 )
典型结电容(注1 )
栅源电压
-55到+125
30
±20
3.3
15
0.50
0.70
40
120
V
连续漏电流
工作温度范围
存储温度范围
-
65
到+175
-55到+150
漏电流脉冲
特征
连续源极 - 漏极二极管电流
A
0.85
0.9
0.92
最大功率耗散
最大正向电压在1.0A DC
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-M
I
S
0.9
V
F
I
R
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
P
D
R
θJA
T
J
T
英镑
0.35
357
150
0.5
10
W
℃/W
℃
从结点到环境的热阻( t≤5s )
@T A = 125 ℃
额定阻断电压DC
储存温度
注意事项:
结温
的4.0伏直流施加反向电压。
1测得1 MHz和
-55 ~+150
2-热阻结点到环境
2012-06
威伦电子COR
2012-
0
威伦电子股份有限公司。