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MMBTH10LT1 参数 Datasheet PDF下载

MMBTH10LT1图片预览
型号: MMBTH10LT1
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内容描述: 甚高频/超高频晶体管 [VHF/UHF Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管放大器
文件页数/大小: 5 页 / 450 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
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FM120-M
THRU
MMBTH10LT1
甚高频/超高频晶体管
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
威伦
无铅产品
SOT-23
批量处理的设计,出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装,以便应用程序
优化电路板空间。
低功耗,高效率。
.122(3.10)
高电流能力,低正向电压降。
高浪涌能力。
.106(2.70)
Guardring过电压保护。
超高速开关。
硅外延平面芯片,金属硅交界处。
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
特点
包装外形
.006(0.15)MIN.
SOD-123H
0.146(3.7)
0.130(3.3)
.063(1.60)
.047(1.20)
0.012 ( 0.3 )典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
机械数据
环氧树脂: UL94 -V0额定阻燃
案例:模压塑料, SOD- 123H
,
端子:镀金端子,
.080(2.04)
MIL-STD-750
每焊
方法2026
0.031 ( 0.8 )典型值。
.083(2.10)
.110(2.80)
0.040(1.0)
0.024(0.6)
.008(0.20)
.003(0.08)
0.031 ( 0.8 )典型值。
.070(1.78)
极性:由阴极频带指示
安装位置:任意
重量:的逼近0.011克
尺寸以英寸(毫米)
最大额定值和电气特性
在25 ℃的环境温度,除非另有规定等级。
.004(0.10)MAX.
单相半波,60赫兹,感性负载的电阻。
对于容性负载,减免电流20 %
评级
标识代码
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
 
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
12
.020(0.50)
20
V
RRM
.012(0.30)
14
V
RMS
V
DC
I
O
20
13
30
21
30
14
40
28
40
.055(1.40)
.035(0.89)
 
15
50
35
50
16
60
42
60
1.0
 
30
40
120
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
尺寸以英寸(毫米)
 
I
FSM
R
θJA
0.037
C
J
0.95
T
J
TSTG
安培
 
 
℃/W
PF
安培
典型热阻(注2 )
典型结电容(注1 )
工作温度范围
存储温度范围
 
 
-55到+125
0.037
0.95
 
-55到+150
 
-
65
到+175
 
特征
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
 
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
单位
0.079
V
F
I
R
0.50
2.0
0.70
0.85
0.9
0.92
 
@T A = 125 ℃
0.035
0.9
0.5
10
毫安
注意事项:
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
0.031
0.8
英寸
mm
 
 
2012-11
威伦电子股份有限公司。