FM120-M
THRU
MMBTH10LT1
甚高频/超高频晶体管
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
威伦
包
无铅产品
特点
包装外形
SOD-123H
y
rb
，反向传输导纳（毫姆欧）
•
低调的表面安装，以便应用程序
典型特征
优化电路板空间。
•
低功耗，高效率。
•
高电流能力，低正向电压降。
共基极y参数与频率的关系
•
高浪涌能力。
(V
CB
= 10 VDC ，我
C
= 4.0 MADC ，T
A
= 25°C)
•
Guardring过电压保护。
y
rb
，反向传输导纳
•
超高速开关。
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
0
5.0
•
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
•
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
H11
MPS
jb
rb
（毫姆欧）
4.0
100
–1.0
200
400
机械数据
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
–b
rb
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
–b
rb
2.0
,
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
1.0
3.0
–2.0
0.040(1.0)
0.024(0.6)
–3.0
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
700
–4.0
方法2026
MPS H1
–g
rb
400
500
700
1000
•
极性：由阴极频带指示
•
MOUNTING
0
位置：任意
100
200
300
•
重量：的逼近0.011克
–5.0
2.0
1.8
尺寸以英寸（毫米）
1000MHz
1.2
0.8
0.4
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
评级
标识代码
最大的经常峰值反向电压
10
最大
图5.直角坐标形式
额定值和电气特性
图6.极地表
男，频率（MHz）
g
rb
（毫姆欧）
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
y
ob
，输出导纳
13
30
21
30
14
40
10
28
40
8.0
15
50
35
50
700
6.0
y
ob
，输出导纳（毫姆欧）
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
b
ob
12
20
14
20
16
60
1000MHz
42
18
80
56
80
1.0
30
40
120
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
伏
最大RMS电压
9.0
最大直流阻断电压
8.0
最大平均
7.0
正向整流电流
伏
60
伏
jb
ob
（毫姆欧）
安培
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
5.0
4.0
3.0
6.0
I
FSM
安培
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
2.0
工作温度范围
1.0
存储温度范围
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
200
300
400
500
4.0
400
200
100
g
ob
700
-55到+150
℃/W
PF
℃
℃
-55到+125
2.0
-
65
到+175
0
0
100
1000
特征
0
2.0
4.0
FM1100-MH
8.0
FM1150-MH
10
FM1200-MH
单位
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 -MH
6.0
最大正向电压在1.0A DC
男，频率（MHz）
V
F
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
图7.直角坐标形式
I
R
@T A = 125 ℃
额定阻断电压DC
0.50
0.70
0.85
g
ob
（毫姆欧）
0.5
图8.极地表
10
0.9
0.92
伏
MAMP
注意事项：
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
2012-06
2012-11
威伦电子股份有限公司。
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
