FM120-M
THRU
MMBTA4xLT1
FM1200-M
1.0A表面
电压晶体管
高
装载肖特基整流器-20V- 200V
SOD-123
包
•
批量处理的设计,出色的功耗报价
•
更好的反向漏电流和耐热性。
电气特性
( T A = 25 ° C除非另有说明) (续)
低调的表面安装,以便应用程序
特征
符号
优化电路板空间。
h
FE
25
40
40
40
V
CE ( SAT )
MMBTA42
MMBTA43
V
BE ( SAT )
威伦
无铅产品
特点
包装外形
SOD-123H
民
最大
0.146(3.7)
0.130(3.3)
单位
––
0.012 ( 0.3 )典型值。
•
低功耗,高效率。
基本特征( 3 )
•
高电流能力,低正向电压降。
直流电流增益
•
高浪涌
1.0 MADC ,V
CE
= 10 VDC )
(I
C
=
能力。
这两种类型
过电压保护。
•
Guardring
10 MADC ,V = 10 VDC )
(I
C
=
这两种类型
CE
•
超高速开关。
MMBTA42
•
硅外延平面芯片,金属硅交界处。
(I
C
= 30 MADC ,V
CE
= 10 VDC )
MMBTA43
•
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
—
—
—
—
0.071(1.8)
0.056(1.4)
产品包装代号后缀"G"
•
RoHS指令
集电极 - 发射极饱和电压
(I = 20 MADC ,
为
2.0 MADC )
卤素
C
免费产品
I
B
=
包装代号后缀"H"
VDC
—
—
—
0.5
0.5
0.040(1.0)
机械数据
基射极饱和
阻燃
•
环氧树脂: UL94 -V0阻燃评分
电压
(I
C
= 20 MADC ,我
B
= 2.0 MADC )
•
案例:模压塑料, SOD- 123H
,
小信号特性
•
端子:镀金端子,符合MIL -STD- 750焊接的
0.9
0.024(0.6)
VDC
0.031 ( 0.8 )典型值。
0.031 ( 0.8 )典型值。
•
•
•
电流 - 获得带宽积
方法2026
(V
由阴极指示
f = 100
极性:
CE
= 20伏直流,我
C
= 10毫安,
BAND
兆赫)
集电极 - 基电容
安装位置:任意
(V
CB
= 20伏直流,我
E
= 0中,f = 1.0 MHz)的
重量:的逼近0.011克
3.脉冲测试:脉冲宽度<300
µs,
占空比<2.0 % 。
f
T
C
cb
MMBTA42
MMBTA43
50
—
兆赫
pF
尺寸以英寸(毫米)
—
—
3.0
4.0
最大额定值和电气特性
在25 ℃的环境温度,除非另有规定等级。
单相半波,60赫兹,感性负载的电阻。
对于容性负载,减免电流20 %
评级
标识代码
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
12
20
14
20
13
30
21
30
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
42
60
1.0
30
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
伏
伏
伏
安培
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
℃/W
PF
℃
℃
安培
典型热阻(注2 )
典型结电容(注1 )
工作温度范围
存储温度范围
-55到+125
40
120
-55到+150
-
65
到+175
特征
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
单位
V
F
@T A = 125 ℃
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
伏
I
R
毫安
注意事项:
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
2012-06
威伦电子股份有限公司。
2012-11
威伦电子股份有限公司。