FM120-M
THRU
MMBTA4xLT1
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
高电压晶体管
SOD-123
包
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
威伦
无铅产品
特点
包装外形
SOD-123H
符合RoHS的产品包装代码
订单
＆ QUOT ; G＆ QUOT ;
•
低调的表面安装应用程序
苏FFI X
to
优化电路板空间。
无卤素产品的包装代号后缀"H"
.
•
低功耗，高效率。
•
高电流能力，低正向电压降。
高浪涌能力。
•
设备标记和订购信息
•
Guardring过电压保护。
包
设备
记号
航运
•
超高速开关。
MMBTA42LT1
1D
SOT-23
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
3000/Tape&Reel
•
无铅零件符合环保标准
•
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
MMBTA43LT1
M1E
SOT-23
3000/Tape&Reel
更好的反向漏电流和耐热性。
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
机械数据
无卤素产品
最大额定值
包装代号后缀"H"
等级
符号
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
价值
MMBTA42 MMBTA43
SOT–23
0.040(1.0)
0.024(0.6)
3
0.031 （ 0.8 ）典型值。
单位
•
集电极 - 发射极电压
300
200
VDC
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
V
首席执行官
,
•
端子：镀
电压
集电极 - 基
终端，每MIL -STD- 750
V
CBO
300
200
VDC
集热器
0.031 （ 0.8 ）典型值。
•
•
•
热特性
重量：的逼近0.011克
特征
方法2026
发射极 - 基极电压
V
EBO
极性：由阴极频带指示
连续集电极电流 -
I
C
安装位置：任意
6.0
500
6.0
VDC
MADC
1
BASE
尺寸以英寸（毫米）
2
辐射源
符号
最大
单位
最大额定值和电气特性
设备总
除非另有温度
在25 ℃的环境评级
功耗FR- 5局， （ 1 ）
指定的。
P
D
225
mW
T
半
25°C
60Hz的，感性负载的电阻。
A
=
单相
波，
减免上述25℃
由20％的
1.8
毫瓦/°C的
对于容性负载，减免电流
热阻，结到环境
R
θJA
556
° C / W
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
评级
器件总功耗
300
标识代码
12
P
D
13
14
15
mW
16
18
10
115
120
氧化铝基板， （2）T
A
= 25°C
20
30
40
50
60
80
100
150
200
最大的经常峰值反向电压
伏
V
RRM
减免上述25℃
2.4
毫瓦/°C的
伏
14
θJA
21
28
35
56
70
105
140
最大RMS电压
电阻，结到环境
V
RMS
热
R
417
° C / W
42
伏
最大直流
连接点
电压
闭塞
和存储温度
20
40
60
80
100
150
200
V
DC
T
J
, T
英镑
30
-55到+150
50
°C
最大正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明。 ）
特征
I
FSM
R
θJA
T
J
MMBTA42
TSTG
MMBTA43
I
O
符号
民
1.0
最大
30
40
120
安培
单位
安培
关闭
电阻（注2 ）
典型的热
特征
工作温度
MADC ，我
B
= 0)
(I
C
= 1.0
范围
存储温度范围
V
（ BR ） CEO
-55到+125
V
300
200
VDC
典型结电容（注1 ）
集电极 - 发射极击穿电压（ 3 ）
C
J
-55到+150
℃/W
PF
℃
℃
—
-
65
—
到+175
VDC
特征
(I
C
= 100
μAdc ，
I
E
= 0)
最大正向电压在1.0A DC
额定DC阻断
100
μAdc ，
I
C
= 0)
(I
E
=
电压
注意事项：
集电极 - 基极击穿电压
V
F
MMBTA43
I
R
（ BR ） CBO
符号
MMBTA42
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
单位
300
—
0.50
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
发射极 - 基极击穿电压
200
6.0
0.70
—
0.85
0.9
0.92
伏
0.5
@T A = 125 ℃
V
（ BR ） EBO
—
10
0.1
0.1
VDC
μAdc
MAMP
收藏家Cuto FF电流
(V
= 200V直流，I = 0）
MMBTA42
MMBTA43
( V
CB
= 160VDC ，我
E
= 0)
发射Cuto FF电流
( V
EB
= 6.0VDC ，我
C
= 0)
( V
EB
= 4.0Vdc ，我
C
= 0)
I
CBO
—
—
I
EBO
MMBTA42
MMBTA43
—
—
0.1
0.1
CB
E
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
μAdc
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
3.脉冲测试：脉冲宽度<300
µs,
占空比<2.0 ％ 。
2012-06
2012-11
威伦电子股份有限公司。
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
