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MMBT5401LT1 参数 Datasheet PDF下载

MMBT5401LT1图片预览
型号: MMBT5401LT1
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内容描述: 高压晶体管 [High Voltage Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管高压
文件页数/大小: 5 页 / 330 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
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FM120-M
THRU
MMBT5401LT1
高压晶体管
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
批量处理的设计,出色的功耗报价
θ
V
,温度系数(毫伏/ ° C)
更好的反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装,以便应用程序
1.0
优化电路板空间。
T
J
低功耗,
=25°C
EF网络效率。
0.9
高电流能力,低正向电压降。
0.8
高浪涌能力。
0.7
V
过电压保护。
Guardring为
BE ( SAT )
@ I
C
/I
B
=10
0.6
超高速开关。
0.5
硅外延平面芯片,金属硅交界处。
0.4
无铅零件符合环保标准
0.3
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
0.2
符合RoHS的产品包装代码
B
后缀"G"
V
CE ( SAT )
@ I
C
/I =10
卤素
0.1
产品包装代号后缀"H"
免费
V,电压(V )
SOD-123H
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
- 0.5
- 1.0
- 1.5
- 2.0
- 2.5
0.1
0.2 0.3 0.5
1.0
2.0 3.0 5.0
10
20 30 50
0.040(1.0)
0.024(0.6)
100
威伦
无铅产品
特点
包装外形
T
J
= -55 ° C至135°C的
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 ( 0.3 )典型值。
θ
VC
对于V
CE ( SAT )
0.071(1.8)
0.056(1.4)
θ
VB
对于V
BE ( SAT )
机械数据
0
环氧树脂: UL94 -V0额定阻燃
案例:模压塑料,
集电极电流(毫安)
I
C
,
SOD-123H
,
图4. “开”
每MIL -STD- 750
端子:镀金端子,焊
电压
方法2026
0.1
0.2 0.3 0.5
1.0
2.0 3.0 5.0
10
20 30
50
100
0.031 ( 0.8 )典型值。
图5.温度系数
尺寸以英寸(毫米)
I
C
,集电极电流(毫安)
0.031 ( 0.8 )典型值。
极性:由阴极频带指示
V
BB
安装位置:任意
+8.8 V
10.2V
重量:的逼近0.011克
V
100
in
V
CC
100
–30 V
C
70
50
T
J
=25°C
C,电容(pF )
3.0 k
R
 
C
IBO
V
OUT
0.25µF
R
B
10µs
除非另有规定ED 。
在25 ℃的环境温度额定值
10
输入脉冲
单相半波,60赫兹,电感电阻
5.1 k
负载。
7.0
t , t
f
& LT ;
当前
对于容性负载,
r
减额
10纳秒
由20%的
V
in
100
C
敖包
1N914
5.0
占空比= 1.0 %
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
评级
3.0
最大额定值和电气特性
20
30
标识代码
最大RMS电压
最大的经常峰值反向电压
最大直流阻断电压
 
显示的值是我
C
@ 10毫安
12
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
 
I
FSM
R
θJA
20
14
20
13
30
21
30
14
2.0
40
28
40
1.0
0.2
15
50
0.3
35
0.5
16
60
42
1.0
18
80
2.0
56
3.0
10
100
5.0
70
10
115
150
105
20
120
200
140
200
图6.开关时间测试电路
50
V
R
,反向电压(伏)
150
60
80
100
最大正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
图7的电容
1.0
 
30
安培
 
 
℃/W
f
安培
典型热阻(注2 )
I
C
/I
B
=10
典型结
700
500
电容
25°C
T
J
=
(注
1000
 
= 120V
= 30V
100
70
50
30
20
1)
t
r
@V
C
J
CC
T
J
 
-55到+125
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
t
f
@ V
40
120
工作温度范围
300
 
CC
 
t
-55到+150
@V
CC
= 120V
PF
T, TIME ( NS )
 
T, TIME ( NS )
存储温度范围
200
100
t
r
@V
TSTG
CC
-
30V
=
65
到+175
最大正向电压在1.0A DC
50
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定DC阻断
20
电压
 
30
70
特征
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 -MH
s
FM160 - MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
单位
吨@V
CC
= 120V
10
V
F
t
d
@ V
@T A = 125 ℃
V
CC
0.50
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
 
BE (OFF)的
= 1.0V
I
R
毫安
= 120V
50
100
200
0.2 0.3 0.5
1.0
2.0 3.0 5.0
10
20 30
50
100
200
注意事项:
10
0.2 0.3 0.5
1.0
2.0 3.0 5.0
10
20
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
30
 
 
2-热阻结点到环境
I
C
,集电极电流(毫安)
I
C
,集电极电流(毫安)
图8.导通时间
图9.开启,关闭时间
2012-06
2012-11
威伦电子股份有限公司。
威伦电子股份有限公司。