FM120-M
MMBT5401LT1
THRU
高压晶体管
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
OPTIMIZE
无铅封装可用
电路板空间。
符合RoHS的产品包装
•
低功耗，高效率。
代号后缀“G”
•
高电流能力，低正向电压降。
“H”
无卤素产品的包装代号后缀
•
高浪涌能力。
设备
过压
订购
•
Guardring
标记和
保护。
信息
•
超高速开关。
记号
设备
航运
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
M
MBT5401LT1
2L
•
无铅零件符合环保标准
3000/Tape&Reel
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
•
无卤素产品的包装代号后缀"H"
威伦
包
无铅产品
特点
包装外形
SOD-123H
•
低调的表面安装，以便应用程序
特征
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
集电极 - 基极电压
V
CBO
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
发射极 - 基极电压
V
EBO
,
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
集电极电流
2026
法
- 连续
I
C
机械数据
等级
最大额定值
SOT- 23
单位
VDC
VDC
0.031 （ 0.8 ）典型值。
VDC
MADC
1
BASE
0.040(1.0)
0.024(0.6)
符号
价值
– 150
– 160
– 5.0
– 500
3
集热器
0.031 （ 0.8 ）典型值。
•
极性：由阴极频带指示
热特性
•
安装位置：任意
特征
总
近似0.011
第5局
•
重量：
设备损耗FR-
克
(1)
T
A
=25 °C
减免上述25℃
最大额定值
尺寸以英寸（毫米）
符号
P
D
最大
225
单位
mW
2
辐射源
1.8
毫瓦/°C的
和电气特性
556
300
° C / W
mW
在25 ℃的环境温度，除非评级
环境
指定的。
θJA
热阻，结到
否则
R
单相半
设备
60Hz的，感性负载的电阻。
总
波，
耗散
P
D
对于电容
氧化铝基板， （2）T
20%
负载，减免电流
A
= 25°C
减免上述25℃
评级
结温和存储温度
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
标识代码
热阻，结到环境
2.4
毫瓦/°C的
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
V
RRM
V
RMS
V
DC
R
θJA
12
T
J
20
英镑
,T
14
20
13
417
14
–55
30
to+150
40
21
30
28
40
° C / W
15
°C
50
35
50
16
60
42
60
1.0
30
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
伏
伏
伏
设备
电压
最大直流阻断
记号
MMBT5401LT1=
2L
最大正向平均整流电流
I
O
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
I
FSM
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
典型热阻（注2 ）
安培
马X
安培
开关特性
典型结电容（注1 ）
(I
C
范围
储存温度
= -1.0 MADC ，我
B
= 0)
特征
θJA
R
C
J
符号
V
（ BR ） CEO
民
-55到+125
40
120
单位
-55到+150
VDC
℃/W
PF
℃
℃
集电极 - 发射极击穿电压
T
J
工作温度范围
TSTG
– 150
到+175
—
-
65
集电极 - 基极击穿电压
V
（ BR ） CBO
VDC
(I
C
= –100
μAdc ，
I
E
= 0)
– 160
—
特征
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
单位
伏
0.9
最大正向电压在1.0A DC
0.92
V
F
0.50
V
（ BR ） EBO
0.70
0.85
VDC
发射极 - 基极击穿电压
（I = -10μAdc ，我
C
=0)
最大平均
E
反向电流@T A = 25 ℃
集热器
@T
额定阻断电压DC
截止目前
A=125℃
I
R
-5.0
I
CES
—
—
0.5
10
—
– 50
– 50
NADC
μAdc
MAMP
注意事项：
(V
CB
= -120伏，我
E
= 0)
(V
CB
= -120伏，我
E
= 0, T
A
=100 °C)
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
2012-06
2012-11
威伦电子股份有限公司。
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
