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MMBT3946DW1T1 参数 Datasheet PDF下载

MMBT3946DW1T1图片预览
型号: MMBT3946DW1T1
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内容描述: 双路通用晶体管 [Dual General Purpose Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 11 页 / 402 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
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双路通用晶体管
200V
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V-
典型电气特性
批量处理的设计,出色的功耗报价
( NPN )
威伦
FM120-M
MMBT3946DW1T1
THRU
SOD-123
FM1200-M
无铅全国生产
特点
MMBT3946DW1T1
500
300
200
100
70
50
30
20
10
7
5
1.0
包装外形
SOD-123H
VCC = 40 V
IC
/I
B = 10
0.012 ( 0.3 )典型值。
吨R, RISE
时间(纳秒)
时间(纳秒)
更好的反向漏电流和耐热性。
500
低调的表面安装应用程序
C / IB = 10
I
为了
300
优化电路板空间。
200
低功耗,高效率。
高电流能力,低正向电压降。
100
高浪涌能力。
70
Guardring过电压保护。
TR @ V = 3.0 V
CC
50
超高速开关。
0.146(3.7)
0.130(3.3)
30
硅外延平面芯片,金属硅交界处。
40 V
20
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
15 V
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
10
( NPN )
2.0
7
无卤素产品包装代码
V
T d设定@ VOB = 0
后缀"H"
V
5
机械数据
200
1.0
2.0 3.0 5.0 7.0 10
20 30 50 70 100
额定阻燃
环氧树脂: UL94 -V0
COLLECT电流(mA)
IC ,
OR
案例:模压塑料, SOD- 123H
图5.开启时间
0.071(1.8)
0.056(1.4)
( NPN )
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30
200
50 70 100
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 ( 0.8 )典型值。
IC ,集电极电流(毫安)
T的,存储
时间(纳秒)
100
重量:的逼近0.011克
70
50
 
IC
/I
B= 10
IC
指定的。
在25 ℃的环境温度,除非另有评级
/ IB = 10
30
30
20
单身
20
相半波,60赫兹,感性负载的电阻。
对于容性负载,减免电流20 %
10 (NPN)
10
( NPN )
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
评级
7
7
标识代码
5
5
12
13
14
15
16
18
10
115
120
200
200
1.0
2.0 3.0 5.0 7.0 10
20 30 50 70 100
1.0
2.0 3.0 5.0 7.0 10
20 30 50 70 100
20
30
40
50
60
80
100
150
200
最大的经常峰值反向电压
V
RRM
IC ,集电极电流(毫安)
IC ,集电极电流(毫安)
14
21
28
35
42
56
70
105
140
最大RMS电压
V
RMS
最大直流阻断电压
图7.储存时间
最大正向平均整流电流
最大额定值和
IC
/I
B = 20
电动
五六,下降时间( NS )
端子:镀金端子,符合MIL -STD- 750焊接的
500
500
方法2026
T的TS = - 1/8 TF
300 I /I = 20
300
IB1 = IB2
极性:指示
10
阴极带
CB
IC / IB =
by
200
200
安装位置:任意
,
0.031 ( 0.8 )典型值。
图6.上升时间
尺寸以英寸(毫米)
IB1 = IB2
VCC = 40 V
IC / IB = 20
100
70
50
特征
V
DC
20
30
40
科幻gure
60
下降时间
8.
50
80
100
150
200
 
I
O
1.0
 
 
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
典型的音频小信号特性
30
I
FSM
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
 
 
典型热阻(注2 )
典型结电容(注1 )
噪声系数变异
 
( VCE = 5.0
θJA
TA = 255℃ ,带宽= 1.0赫兹)
R
VDC ,
C
J
 
 
-55到+125
-55到+150
工作温度范围
T
J
14
12
源电阻= 200
F = 1.0千赫I = 1.0毫安
65
到+175
-
存储温度范围
TSTG
C
12
IC = 1.0毫安
10
特征
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
IC = 0.5毫安
10
源电阻= 200
8
最大正向电压在1.0A DC
0.92
V
F
0.50
0.70
0.85
I = 50 A
0.9
C
IC = 0.5毫安
 
0.5
8
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
I
R
6
IC = 100 A
10
@T A = 125 ℃
额定阻断电压DC
源电阻= 1.0 ķ
6
 
IC = 50 A
注意事项:
4
4
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
NF噪声系数(dB )
,
40
120
 
 
 
 
2-热阻结点到环境
2源电阻= 500
NF噪声系数(dB )
,
0
0.1
IC = 100 A
0.2
( NPN )
10
20
40
100
2
0
0.1
0.2
0.4
1.0
2.0
4.0
( NPN )
10
20
40
100
0.4
1.0
2.0
4.0
男,频率(KHz )
RS ,源电阻(千欧)
图9.噪声系数
图10.噪声系数
2012-
0
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子COR