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MMBT3946DW1T1 参数 Datasheet PDF下载

MMBT3946DW1T1图片预览
型号: MMBT3946DW1T1
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内容描述: 双路通用晶体管 [Dual General Purpose Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 11 页 / 402 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
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威伦
SOD-123
批量处理的设计,出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
1.0A
通用晶体管
FM120-M
MMBT3946DW1T1
THRU
FM1200-M
无铅产品
特点
包装外形
SOD-123H
低调的表面安装,以便应用程序
MMBT3946DW1T1
设备是一个剥离我们的流行
优化电路板空间。
低功耗,高
三含铅器件。它是专为一般
SOT–23/SOT–323
EF网络效率。
高电流能力,低正向电压降。
目的放大器的应用程序和被收纳在SOT -363
高浪涌能力。
6引线表面贴装封装。
Guardring过电压保护。
通过将两个分立器件
封装,该器件非常适用于低功率表面贴装
高速开关。
硅外延平面芯片,金属硅交界处。
应用中的电路板空间非常珍贵。
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
• h
FE
, 100–300
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
•低V
, < 0.4 V
•简化
数据
机械
电路设计
无卤素产品的包装代号后缀"H"
CE ( SAT )
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 ( 0.3 )典型值。
6
5
0.071(1.8)
4
0.056(1.4)
1
2
3
: UL94 -V0阻燃评分
环氧树脂
板级空间缩小
阻燃
模压
元件数量
案例:
减少
塑料, SOD- 123H
,
•提供8毫米, 7寸/ 3000
磁带和卷轴
端子:镀金端子,焊
单位
MIL-STD-750
方法2026
•器件标识: MMBT3946DW1T1 = 46
极性
评级
最大
:由阴极频带指示
安装位置:任意
等级
符号
价值
集电极 - 发射极电压
V
重量: 0.011的逼近
首席执行官
SOT-363
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 ( 0.8 )典型值。
0.031 ( 0.8 )典型值。
我们声明该产品的材料
符合RoHS要求。
尺寸以英寸(毫米)
单位
VDC
无铅封装可用
符合RoHS的产品包装代号后缀“G”
对于无卤素产品包装代号后缀为“H”
( NPN )
40
最大额定值和电气特性
( PNP)
-40
在25 ℃的环境温度,除非另有规定等级。
单相半波,60赫兹,电感电阻
CBO
集电极 - 基极电压
V
负载。
VDC
3
2
 
 
 
 
注意事项:
( NPN )
60
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
U
( PNP)
评级
-40
Q
标识代码
12
13
14
15
16
1
18
10
120
Q
2
115
发射极 - 基极电压
V
EBO
VDC
40
20
30
50
60
80
100
150
200
最大的经常峰值反向电压
V
V
RRM
( NPN )
6.0
V
14
21
28
35
42
56
70
105
140
最大RMS电压
V
RMS
V
-5.0
最大直流
( PNP)
电压
闭塞
20
30
40
50
60
80
100
150
200
V
DC
4
6
5
集电极电流连续
I
C
I
O
MADC
A
最大正向平均整流电流
1.0
 
 
 
MBT3946DW1T1*
( NPN )
200
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
30
I
FSM
A
* Q1 PNP
-200
叠加
( PNP)
负荷( JEDEC的方法)
额定
Q2 NPN
 
40
典型热阻(注2 )
R
静电放电
E
SD
θJA
HBM>16000,
 
V
订购信息
 
 
120
典型结电容(注1 )
C
J
MM>2000
 
设备
-55到+125
-55到+150
航运
工作温度范围
T
J
记号
热特性
-
65
到+175
存储温度范围
TSTG
MMBT3946DW1T1
46
3000Units/Reel
特征
符号
最大
单位
特征
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
U
总包耗散
(1)
P
D
150
mW
V
0.9
最大正向电压在1.0A DC
0.92
V
F
0.50
0.70
0.85
T
A
= 25°C
 
0.5
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
I
m
热阻结
R
θJA
R
833
° C / W
10
@T A = 125 ℃
额定阻断电压DC
到环境
结存储
T
J
,T
S T摹
-55到+150
°C
对于容性负载,减免电流20 %
1
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
 
 
温度范围
2-热阻结点到环境
1.装置安装在FR4玻璃环氧树脂印刷电路板使用的最小
1.
推荐的足迹。
2012-
0
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子股份有限公司