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MMBT3906DW1T1 参数 Datasheet PDF下载

MMBT3906DW1T1图片预览
型号: MMBT3906DW1T1
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内容描述: 双偏置电阻晶体管 [Dual Bias Resistor Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 349 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
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威伦
SOD-123
批量处理的设计,出色的功耗报价
双偏置电阻
势垒整流器-20V- 200V
1.0A表面贴装肖特基
晶体管
& LT ; 1纳秒
FM120-M
MMBT3906DW1T1
THRU
FM1200-M
3V
无铅全国生产
特点
3V
包装外形
+9.1 V
更好的反向漏电流和耐热性。
275
275
SOD-123H
& LT ; 1纳秒
表面贴装为了申请
低调
10
10 k
+0.5 V
优化电路板空间。
k
0
0.146(3.7)
低功耗,高效率。
0.130(3.3)
0.012 ( 0.3 )典型值。
高电流能力,低正向电压
s
下降。
Ç < 4 PF *
CS < 4 PF *
1N916
高浪涌能力。
10.6 V
300纳秒
10 < T1 < 500
ms
Guardring过电压保护。
10.9 V
t1
占空比= 2 %
0.071(1.8)
超高速开关。
占空比= 2 %
0.056(1.4)
硅外延平面芯片,金属硅交界处。
*测试夹具和连接器共有并联电容
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
图1.延迟和上升时间
图2.存储和下降时间
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
等效测试电路
等效测试电路
无卤素产品的包装代号后缀"H"
机械数据
环氧树脂: UL94 -V0额定阻燃
案例:模压塑料, SOD- 123H
0.031 ( 0.8 )典型值。
典型的瞬态特性
,
端子:镀金端子,符合MIL -STD- 750焊接的
方法2026
10
7.0
电容(pF)
5.0
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 ( 0.8 )典型值。
极性:由阴极频带指示
安装位置:任意
重量:的逼近0.011克
TJ = 25°C
TJ = 125°C
5000
3000
2000
Q, CHARGE ( PC)
1000
700
500
300
200
13
30
100
70
21
50
30
VCC = 40 V
IC / IB = 10
尺寸以英寸(毫米)
最大
C
额定值和电气特性
敖包
 
在25 ℃的环境温度,除非另有规定等级。
单相半波,60赫兹,
CIBO
阻感性负载。
3.0
对于容性负载,减免电流20 %
2.0
评级
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -M
标识代码
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
V
RRM
V
RMS
12
20
14
QT
14
40
28
15
50
35
16
60
42
18
80
56
10
QA
100
70
115
150
105
150
200
120
200
140
200
 
20
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0 5.0 7.0 10
V
DC
30 40
20
最大正向平均整流电流
I
O
反向偏置(伏)
 
图3.电容
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
I
FSM
1.0
0.1
0.2 0.3
1.0
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
40
2.0 3.0
50
5.0 7.0
60
10
20
80
30 50
100
100
70
1.0
IC ,集电极电流(毫安)
 
图4.收费数据
30
40
120
 
典型热阻(注2 )
500
R
θJA
C
B
IC / I
J
= 10
T
J
TSTG
典型结电容(注1 )
500
-55
300
+125
to
200
 
 
300
工作温度范围
200
存储温度范围
 
 
 
五六,下降时间( NS )
 
-
65
到+175
= 20
IC / IB
0.70
0.5
10
IC / IB = 10
VCC = 40 V
-55〜
I
+150
B1 = IB2
时间(纳秒)
100
特征
70
最大正向电压在1.0A DC
50
额定阻断电压DC
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
100
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
V
F
TR @ VCC = 3.0 V
I
R
70
50
0.50
0.85
0.9
0.92
 
 
30
20
@T A = 125 ℃
15 V
40 V
2.0 V
200
30
20
10
7
5
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
注意事项:
10
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
 
 
2-热阻结到
TD @ VOB = 0 V
环境
7
5
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
20
30
50 70 100
200
IC ,集电极电流(毫安)
IC ,集电极电流(毫安)
图5.开启时间
图6.下降时间
2012-
0
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子COR