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MMBT3906DW1T1 参数 Datasheet PDF下载

MMBT3906DW1T1图片预览
型号: MMBT3906DW1T1
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内容描述: 双偏置电阻晶体管 [Dual Bias Resistor Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 349 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
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威伦
SOD-123
批量处理的设计,出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装,以便应用程序
优化电路板空间。
低功耗,高效率。
高电流能力,低
ISA设备分拆我国流行
M
MBT3906DW1T1
正向电压降。
高浪涌能力。
SOT -23 / SOT- 323三含铅器件。它是专为一般
Guardring过电压保护。
目的放大器的应用程序和被收纳在SOT -363
超高速开关。
6引线表面贴装封装。通过将两个分立器件
硅外延平面芯片,金属硅交界处。
一个封装,该器件非常适用于低功率表面贴装
无铅零件符合环保标准
应用中的电路板空间非常珍贵。
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
h
无卤素产品的包装代号后缀"H"
FE , 100-300
双偏置电阻
晶体管
200V
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V-
FM120-M
MMBT3906DW1T1
THRU
FM1200-M
无铅产品
特点
包装外形
SOD-123H
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 ( 0.3 )典型值。
6
5
4
0.056(1.4)
0.071(1.8)
1
2
机械
0.4 V
低VCE (SAT) ,
数据
设计
简化电路
额定阻燃
环氧树脂: UL94 -V0
减少
模压塑料, SOD- 123H
电路板空间
案例:
减少了元件数量
每MIL -STD- 750可焊性,
端子:镀金端子,
可在
方法2026
8mm时, 7寸/ 3000单位磁带和卷轴
器件标识:
MMBT3906DW1T1
= A2
极性:由阴极频带指示
重量: 0.005克
:任何
安装位置
Featrues
符合RoHS的产品包装代号后缀"G" ,
重量:的逼近0.011克
SOT-363
0.040(1.0)
0.024(0.6)
3
0.031 ( 0.8 )典型值。
0.031 ( 0.8 )典型值。
(3)
(2)
(1)
尺寸以英寸(毫米)
Q
1
Q
2
无卤产品
收视率和
后缀"H" 。
最大
包装代码
电气特性
在25 ℃的环境温度,除非另有规定等级。
单相半波,60赫兹,感性负载的电阻。
对于容性负载,减免电流20 %
(4)
(5)
(6)
 
最大额定值
等级
评级
标识代码
符号
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
集电极 - 发射极电压
最大的经常峰值反向电压
集电极 - 基极电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
发射极 - 基极电压
 
V
首席执行官
V
RRM
V
CBO
V
RMS
V
EBO
V
DC
I
C
I
O
价值
12
–40
20
–40
14
单位
13
30
VDC
21
VDC
30
VDC
14
40
28
40
15
50
35
16
60
20
–5.0
最大正向平均整流电流
连续集电极电流 -
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
–200
MADC
V
50
MMBT3906DW1T1
1.0
 
30
40
120
42
设备
60
订购信息
56
70
记号
100
80
18
80
10
100
115
150
120
200
140
V
A2
200
3000个/卷
105
航运
150
V
V
A
静电
目前8.3
ESD
峰值正向浪涌
放电
毫秒单一正弦半波
典型热阻(注2 )
典型结电容(注1 )
工作温度范围
存储温度范围
热特性
 
HBM>16000,
I
FSM
MM>2000
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
 
 
A
 
 
-55到+125
 
-55到+150
 
-
65
到+175
 
特征
总包耗散
最大正向电压在1.0A DC
特征
符号
P
D
(1)
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
U
最大
150
833
单位
R
评级
热阻结到
@T A = 125 ℃
qJA
阻断电压DC
 
TA = 25°C
在最大平均反向电流
环境
V
F
I
R
mW
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
 
V
@T A = 25 ℃
° C / W
°C
m
注意事项:
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
温度范围
结存储
T
J
, T
英镑
-55到+150
 
 
2-热阻结点到环境
1.装置安装在FR4玻璃环氧树脂印刷电路板使用的最小
1.
推荐的足迹。
2012-
0
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子股份有限公司