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MMBT3904WT1 参数 Datasheet PDF下载

MMBT3904WT1图片预览
型号: MMBT3904WT1
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内容描述: 通用晶体管 [General Purpose Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 11 页 / 466 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
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NPN
MMBT3904WT1
FM120-M
PNP
THRU
MMBT3906WT1
通用晶体管
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
威伦
SOD-123
延迟时间
设计,卓越的
= –0.5
耗散报价
MMBT3904WT1
批量处理
(V
CC
= 3.0伏,V
BE
动力
VDC )
MMBT3904WT1
C
B1
优化电路板空间。
( I = -10 MADC ,我
B1
MMBT3906WT1
低功耗,
C
高英法fi效率。
= -1.0 MADC )
存储时间(V
CC
=
低正向电压
MMBT3904WT1
高电流能力,
3.0伏,我
C
= 10 MADC )
下降。
(V
CC
=
MMBT3906WT1
高浪涌能力。
-3.0伏, I C = -10 MADC )
下降时间(我
B1
= I
B2
= 1.0
保护。
MMBT3904WT1
Guardring过电压
MADC )
(I
B1
=
B2
= -1.0 MADC )
MMBT3906WT1
超高速
I
切换。
硅外延平面芯片,金属硅交界处。
2.脉冲测试:脉冲宽度<300
µs;
占空比<2.0 % 。
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
MMBT3904WT1
t
d
t
r
t
s
t
f
无铅产品
开关特性
特点
包装外形
SOD-123H
0.146(3.7)
0.130(3.3)
低调的表面
10 MADC ,我
为了申请
上升时间( I =
安装
= 1.0 MADC )
更好的反向漏电流
V
BE
= 0.5伏)
(V
CC
= -3.0伏,
和耐热性。
MMBT3906WT1
35
35
35
ns
35
ns
200
0.012 ( 0.3 )典型值。
225
ns
50
75
0.071(1.8)
ns
0.056(1.4)
机械数据
300纳秒
环氧树脂: UL94 -V0额定阻燃
+10.9 V
10 <吨
1
& LT ; 500
µs
t
1
275
占空比= 2 %
占空比= 2 %
案例:模压塑料, SOD- 123H
0.031 ( 0.8 )典型值。
10 k
,
端子:镀金端子,符合MIL -STD- 750焊接的
– 0.5 V
+3 V
+3 V
+10.9 V
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 ( 0.8 )典型值。
275
10 k
方法2026
安装位置:任意
重量:的逼近0.011克
C
S
< 4.0 pF的*
0
尺寸以英寸(毫米)
C
S
< 4.0 pF的*
<1 NS
极性:由阴极频带指示
– 9.1 V
1N916
<1.0 NS
测试夹具和连接器的*总并联电容
最大额定值和电气特性
在25 ℃的环境评级
图1.延迟和上升时间
温度,除非另有规定。
单相半波,60赫兹,感性负载的电阻。
等效测试电路
对于容性负载,减免电流20 %
评级
标识代码
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
10
图2.存储和下降时间
等效测试电路
 
典型的瞬态特性
12
13
14
15
V
RRM
V
RMS
V
DC
20
14
20
30
21
30
40
50
50
28
5000
3000
2000
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
16
60
42
60
1.0
 
30
40
120
18
80
56
80
10
100
70
100
35
40
115
150
T
J
= 25°C
105
T
J
= 125°C
150
120
200
140
200
最大正向平均整流电流
 
I
O
MMBT3904WT1
 
7.0
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
I
FSM
V
CC
= 40 V
I
C
/ I
B
= 10
MMBT3904WT1
AMP
 
电容(pF)
5.0
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
AMP
典型热阻(注2 )
典型结电容(注1 )
工作温度范围
存储温度范围
3.0
Q, CHARGE ( PC)
C
IBO
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
 
 
1000
700
500
 
 
-55到+150
Q
T
℃/W
PF
-55到+125
300
200
 
-
65
到+175
 
2.0
C
敖包
特征
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
单位
100
Q
A
最大正向电压在1.0A DC
1.0
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
V
F
@T A = 125 ℃
2.0 3.0
R
5.0 7.0
I
10
0.50
70
50
20 30 40
1.0
0.70
2.0 3.0
5.0 7.0 10
0.85
0.5
10
20
30
0.9
50 70 100
200
0.92
 
额定阻断电压DC
 
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
MAMP
注意事项:
反向偏置电压(伏)
I
C
,集电极电流(毫安)
1测得1 MHz和应用
科幻gure
电压为4.0伏。
反向
3.电容
图4.收费数据
 
 
2-热阻结点到环境
2012-11
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子股份有限公司。