NPN
MMBT3904WT1
FM120-M
PNP
THRU
MMBT3906WT1
FM1200-M
1.0A
通用晶体管
表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
威伦
A
SOD-123
特征
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
包
符号
h
FE
40
70
100
60
30
60
80
100
60
30
V
CE （ SAT ）
––
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.146(3.7)
0.130(3.3)
无铅产品
单位
––
电动
特点
特征
(T
包
= 25 ° C除非另有说明） （续）
概要
民
最大
SOD-123H
•
低调的表面安装，以便应用程序
更好的反向漏电流和耐热性。
基本特征（ 2 ）
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
(I
C
= -10 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
•
(I
C
= -50 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
无卤素产品的包装代号后缀"H"
(I
C
= –100
机械
MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
数据
集电极 - 发射极饱和电压
阻燃
•
环氧树脂：
(I
UL94 -V0阻燃评分
MADC ）
MMBT3904WT1
C
= 10 MADC ，我
B
= 1.0
•
案例：模压
MADC ，我
B
SOD-123H
(I
C
= 50
塑料，
= 5.0 MADC ）
,
(I
C
：镀金端子，焊
•
码头
= -10 MADC ，我
B
= -1.0 MADC ）
每
MMBT3906WT1
MIL-STD-750
(I
C
=
方法2026
= -5.0 MADC ）
-50 MADC ，我
B
基射极饱和电压
•
极性：由阴极频带指示
（I = 10 MADC ，我
B
= 1.0 MADC ）
MMBT3904WT1
•
MOUNTING
C
位置：任意
(I
C
= 50 MADC ，我
B
= 5.0 MADC ）
•
重量
(I
近似
I
0.011克
:
= -10 MADC ， = -1.0 MADC ）
MMBT3906WT1
C
B
(I
C
= -50 MADC ，我
B
= -5.0 MADC ）
•
•
•
(I
C
为
MADC ，V
CE
= 1.0伏）
•
Guardring
= 50
过电压保护。
•
超高速开关。
1.0伏）
(I
C
= 100 MADC ，V
CE
=
外延平面芯片，金属硅交界处。
•
硅
(I
C
= -0.1 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
MMBT3906WT1
•
LEAD -FREE
= –1.0
符合环保标准
(I
C
零件
MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
直流电流增益
优化电路板空间。
(I
C
= 0.1 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
MMBT3904WT1
低功耗，高效率。
(I
C
= 1.0 MADC ，V
低正向
高电流能力，
CE
= 1.0伏）
电压降。
(I
C
= 10 MADC ，V
高浪涌能力。
CE
= 1.0伏）
––
––
300
––
––
––
––
300
––
––
0.2
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
0.040(1.0)
0.024(0.6)
VDC
––
––
––
0.65
––
– 0.65
––
0.3
– 0.25
– 0.4
0.85
0.95
– 0.85
– 0.95
0.031 （ 0.8 ）典型值。
V
BE （ SAT ）
VDC
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
小信号特性
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
电流增益 - 带宽积
f
T
兆赫
对于容性负载，减免电流20 ％
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 20伏， F = 100兆赫）
MMBT3904WT1
300
––
FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
评级
V = -20伏直流， F =
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH
250
(I
C
= -10 MADC ，
CE
100 MHz）的
MMBT3906WT1
––
标识代码
输出电容
12
13
14
15
C
敖包
16
18
10
115
120
pF
20
MMBT3904WT1
40
30
50
60
100
150
200
最大的经常峰值
5.0伏， I = 0 ， F = 1.0兆赫）
V
RRM
伏
(V
CB
=
反向电压
––
80
4.0
E
伏
14
MMBT3906WT1
28
21
35
42
70
105
140
最大RMS电压
= -5.0伏，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
V
RMS
(V
CB
––
56
4.5
伏
最大直流阻断电压
20
30
40
50
C
IBO
60
80
100
150
200
输入电容
pF
V
DC
最大平均
(V
EB
= 0.5伏，我
C
当前
1.0兆赫）
正向整流
= 0, f =
I
O
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
(V
EB
= -0.5伏，我
C
= 0中，f = 1.0 MHz）的
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
h
ie
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
输入阻抗
I
FSM
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
典型热阻（注2 ）
C
= -1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
R
θJA
(V
CE
= -10伏直流，我
典型结电容（注
比
C
J
电压反馈
1)
工作温度
= 10 VDC ，我
C
= 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
T
J
(V
CE
范围
储存温度
CE
= -10伏直流，我
C
= -1.0 MADC ， F =
TSTG
(V
范围
1.0千赫）
-55到+125
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
h
re
1.0
––
––
30
1.0
40
2.0
120
8.0
10.0
kΩ
10
12
X 10
–4
安培
℃/W
PF
℃
℃
安培
0.5
-
65
到+175
0.1
-55到+150
8.0
10
注意事项：
小信号电流增益
h
fe
—
FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
单位
特征
MADC ， F = 1.0千赫）
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH
100
符号
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 1.0
MMBT3904WT1
400
伏
0.9
最大正向电压在1.0A DC
0.92
V
F
千赫）
0.50
0.70
0.85
(V
CE
= -10伏直流，我
C
= -1.0 MADC ， F = 1.0
MMBT3906WT1
100
400
0.5
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
输出导纳
h
oe
μmhos
I
R
MAMP
10
1.0
@T A = 125 ℃
额定阻断电压DC
VDC ，我
C
= 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
(V
CE
= 10
MMBT3904WT1
40
(V
CE
= -10伏直流，我
C
= -1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
MMBT3906WT1
3.0
60
NF
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
––
––
5.0
4.0
dB
噪声系数
(V
CE
= 5.0VDC ，我
C
= 100μAdc ，R
S
= 1.0千欧， F = 1.0kHz ）
2-热阻结点到环境
(V
CE
= -5.0Vdc ，我
C
= –100
μAdc ，
R
S
= 1.0千欧， F = 1.0kHz ）
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2012-11
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
