FM120-M
THRU
MMBT2222ATT1
FM1200-M
通用晶体管
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
基本特征
（注2 ）
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
直流电流增益
(I
C
•
低
MADC ，V
CE
= 10
安装才能申请
= 0.1
型材表面
VDC ）
(I
C
=
优化电路板
= 10 VDC ）
1.0 MADC ，V
CE
空间。
= 10 MADC ，V
CE
=
高英法fi效率。
(I
C
•
低功耗，
10 VDC ）
(I
C
•
高
MADC ，V
CE
= 10 VDC ）
正向电压降。
= 150
电流能力，低
= 500
浪涌能力。
(I
C
•
高
MADC ，V
CE
= 10 VDC ）
•
Guardring过电压保护。
集电极发射极饱和电压
(I
C
•
超
MADC ，我
B
= 15
切换。
= 150
快速
MADC ）
= 500 MADC ，我
B
= 50 MADC ）
(I
C
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
•
无铅零件符合环保标准
基地发射极饱和
/228
MIL-STD-19500
电压
(I
C
•
=
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
150 MADC ，我
B
= 15 MADC ）
(I
C
= 500 MADC ，我
B
= 50 MADC ）
无卤素产品的包装代号后缀"H"
小信号特性
机械数据
电流 - 获得
:
- 带宽积
阻燃
•
环氧UL94 -V0阻燃评分
(I
C
= 20 MADC ，V
CE
= 20伏， F = 100兆赫）
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
产量
端子：镀金端子，焊每MIL -STD- 750 ，
•
电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
方法2026
输入
•
电容
极性：由阴极频带指示
(V
EB
= 0.5伏，我
C
= 0中，f = 1.0 MHz）的
•
安装位置：任意
输入阻抗
•
= 10 VDC ，我
C
= 10 MADC ， F = 1.0千赫）
(V
CE
重量：的逼近0.011克
威伦
包
无铅产品
特点
包装外形
H
FE
SOD-123H
35
50
0.146(3.7)
75
0.130(3.3)
100
40
−
−
−
−
−
0.3
1.0
1.2
2.0
−
0.012 （ 0.3 ）典型值。
V
CE （ SAT ）
−
−
0.6
−
0.071(1.8)
0.056(1.4)
VDC
V
BE （ SAT ）
VDC
f
T
0.031 （ 0.8 ）典型值。
250
−
−
8.0
0.040(1.0)
0.024(0.6)
兆赫
pF
pF
kW
C
敖包
0.031 （ 0.8 ）典型值。
C
尺寸以英寸（毫米）
−
30
IBO
h
ie
0.25
1.25
电压反馈比例
h
−
4.0
X 10
− 4
最大额定值和电气特性
re
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 10 MADC ， F = 1.0千赫）
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
小-Signal电流增益
h
fe
75
375
−
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 10 MADC ， F = 1.0千赫）
对于容性负载，减免电流20 ％
输出导纳
h
oe
25
200
毫姆欧
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
评级
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 10 MADC ， F = 1.0千赫）
标识代码
12
13
14
15
16
18
10
115
120
噪声系数
NF
−
80
4.0
100
dB
150
20
30
40
50
60
200
最大的经常峰值反向电压
伏
V
RRM
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 100
MADC ，
R
S
= 1.0千欧， F = 1.0千赫）
伏
14
21
28
35
42
56
70
105
140
最大RMS电压
V
RMS
开关特性
伏
最大直流阻断电压
20
30
40
50
60
80
100
150
200
V
DC
延迟
正向平均整流电流
最大
时间
I
(V
CC
= 3.0
O
VDC ，V
BE
= - 0.5伏直流电，
I
C
= 150 MADC ，我
B1
= 15 MADC ）
上升时间
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
I
FSM
贮存时间
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
(V
CC
= 30伏直流电，我
C
= 150 MADC ，
I
B1
= I
R
θJA
15 MADC ）
B2
=
典型
时间
秋天
热阻（注2 ）
t
d
t
r
t
s
t
f
1.0
−
−
30
−
10
25
225
ns
ns
安培
安培
40
−
120
典型结电容（注1 ）
C
J
1.装置安装在FR4玻璃环氧树脂印刷电路板用的最低建议足迹。
-55到+125
2.脉冲测试：脉冲
范围
工作温度
宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2.0%.
T
J
存储温度范围
TSTG
60
℃/W
PF
℃
℃
-55到+150
-
65
到+175
特征
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
单位
V
F
@T A = 125 ℃
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
伏
I
R
MAMP
注意事项：
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
2012-11
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
