FM120-M
THRU
MMBT2222ATT1
通用晶体管
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
NPN硅
更好的反向漏电流和耐热性。
•
低调的表面安装，以便应用程序
威伦
包
无铅产品
特点
包装外形
SOD-123H
这些
功率损耗，效率高。
对于通用放大器
•
低
晶体管的设计
应用程序。它们都装在
正向电压
其中包
•
高电流能力，低
采用SOT -523
下降。
是专为低功耗表面贴装应用。
•
高浪涌能力。
•
Guardring过电压保护。
特点
高速开关。
•
超
•
宣布
平面芯片，金属
符合
•
We
硅外延
产品材质
硅结。
RoHS要求。
•
无铅零件符合环保标准
无铅封装可用
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
•
对于无卤素产品包装代号后缀为“H”
无卤素产品的包装代号后缀"H"
优化电路板空间。
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
SOT-523
0.071(1.8)
0.056(1.4)
符合RoHS的产品包装代号后缀“G”
机械数据
•
环氧树脂： UL94 -V0
信息
订购
额定阻燃
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
设备
马林
航运
,
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
MMBT2222ATT1
方法2026
3000 /磁带& Ree的升
1P
0.031 （ 0.8 ）典型值。
集热器
3
1
BASE
2
辐射源
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
•
极性：由阴极频带指示
最大额定值
(T
A
= 25°C)
•
安装位置：任意
符号
等级
•
重量：的逼近0.011克
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
尺寸以英寸（毫米）
最大
40
单位
VDC
最大
集电极 - 基极电压
额定值及电气
V
CBO
75
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
发射极 - 基极电压
V
EBO
6.0
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
I
C
600
为
连续集电极电流 -
由20％的
容性负载，减免电流
热特性
评级
标识代码
特征
最大RMS电压
T
A
= 25°C
最大的经常峰值反向电压
器件总功耗（注1 ）
特征
VDC
VDC
MADC
标记图
1P M
G
G
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
符号
最大
单位
12
13
14
15
16
10
115
120
1
18
20
30
40
50
60
80
100
150
200
伏
V
RRM
150
P
mW
D
V
RMS
V
DC
14
21
28
35
最大直流阻断电压
热阻，
结到环境
最大正向平均整流电流
I
O
-55到+150
工作和存储结
T
J
, T
英镑
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
I
FSM
温度范围
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
R
qJA
833
20
30
° C / W
40
50
42
1P
M
60
G
°C
1.0
30
56
70
=具体设备守则
105
=日期代码
100
80
150
= Pb-Free包装
140
伏
200
伏
AMP
AMP
典型热阻（注2 ）
工作温度范围
存储
特征
关闭
温度范围
典型结电容（注1 ）
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
C
J
R
θJA
特征
T
J
TSTG
-55到+125
符号
40
120
民
最大
-55到+150
单位
℃/W
PF
℃
℃
-
65
到+175
集电极发射极击穿电压（注1 ）
V
（ BR ） CEO
40
−
VDC
特征
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
单位
(I
C
= 1.0 MADC ，我
B
= 0)
伏
0.9
最大正向电压在1.0A DC
0.92
V
F
0.50
0.70
0.85
集电极基极击穿电压
V
（ BR ） CBO
75
−
VDC
0.5
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
(I
C
= 10
MADC ，
I
E
= 0)
I
R
MAM
10
@T A = 125 ℃
额定阻断电压DC
发射-Base击穿电压
V
（ BR ） EBO
6.0
−
VDC
(I
E
= 10
MADC ，
I
C
= 0)
注意事项：
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
基地截止电流
2-热阻结
VDC ）
(V
CE
= 60 VDC ，V
EB
= 3.0
到环境
I
BL
I
CEX
−
−
20
100
NADC
NADC
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 60 VDC ，V
EB
= 3.0伏）
2012-11
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
