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8050HXLT1 参数 Datasheet PDF下载

8050HXLT1图片预览
型号: 8050HXLT1
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内容描述: 通用晶体管 [General Purpose Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 297 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
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威伦
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
批量处理的设计,出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装,以便应用程序
优化电路板空间。
特征
符号
低功耗,高效率。
开关特性
正向电压降。
高电流能力,低
高浪涌能力。
集电极 - 发射极击穿电压
Guardring过电压保护。
V
( BR ) CEO
超高速开关。
(I
C
=1.0mA)
硅外延平面芯片,金属硅交界处。
发射极 - 基极击穿电压
无铅零件符合环保标准
V
( BR ) EBO
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
(I
E
=100µΑ)
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
集电极 - 基极击穿电压
V
( BR ) CBO
机械数据
(I
C
=100µΑ)
环氧树脂: UL94 -V0额定阻燃
集电极截止电流(V
CB
=35V)
I
CBO
案例:模压塑料, SOD- 123H
方法2026
通用晶体管
特点
FM120-M
THRU
8050HxLT1
FM1200-M
无铅产品
包装外形
SOD-123H
电气特性(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
典型值
最大
0.146(3.7)
0.130(3.3)
单位
0.012 ( 0.3 )典型值。
25
V
0.071(1.8)
0.056(1.4)
5
V
40
150
150
V
0.040(1.0)
0.024(0.6)
ry
,
0.031 ( 0.8 )典型值。
nA
nA
0.031 ( 0.8 )典型值。
I
EBO
发射极截止电流(V
EB
=4V)
端子:镀金端子,符合MIL -STD- 750焊接的
INA
符号
典型值
100
-
12
20
14
13
30
21
30
14
40
28
40
15
50
35
50
20
极性:由阴极频带指示
特征
安装位置:任意
重量:的逼近0.011克
基本特征
直流电流增益
最大
电气特性(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
尺寸以英寸(毫米)
最大
单位
额定值和电气特性
im
 
在25 ℃的环境评级
CE
=1V
I
C
=100mA,V
温度,除非另有规定。
h
FE
单相半波,60赫兹,感性负载的电阻。
集电极 - 发射极饱和
对于容性负载,减免电流20 %
电压
(I
C
= 800毫安我
B
=80mA)
评级
标识代码
600
V
V
CE (S )
-
0.5
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
-
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
U
V
RRM
V
RMS
V
DC
16
60
42
60
1.0
 
30
40
120
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
 
Pr
el
V
注意:
*
P
Q
R
S
V
V
h
˚F ê
最大正向平均整流电流
100~200
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
150~300
I
O
 
I
FSM
200~400
300~600
A
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
 
 
A
典型热阻(注2 )
典型结电容(注1 )
工作温度范围
存储温度范围
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
 
 
-55到+125
 
-55到+150
 
-
65
到+175
 
特征
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
 
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
U
V
F
@T A = 125 ℃
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
 
V
I
R
m
注意事项:
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
 
 
2012-
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子股份有限公司