一般
装载肖特基
晶体管
-20V- 200V
1.0A表面
用途
势垒整流器
SOD-123
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
威伦
FM120-M
8050HxLT1
THRU
FM1200-M
包
无铅产品
特点
包装外形
SOD-123H
NPN硅
优化电路板空间。
更好的反向漏电流和耐热性。
•
低调的表面安装，以便应用程序
•
低功耗，高效率。
•
高电流能力，低正向电压降。
特征
•
高浪涌能力。
Guardring
能在紧凑的封装。
•
HIGH CURRENT
过电压保护。
I
C
=1.5A.
•
超高速开关。
硅
平面型。
•
外延
外延平面芯片，金属硅交界处。
无铅零件符合环保标准
•
NPN补充： 8050H
•
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
我们声明该产品符合RoHS要求的材料。
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无铅封装可用
无卤素产品的包装代号后缀"H"
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
SOT–23
集热器
3
0.040(1.0)
0.024(0.6)
机械数据
包装代号后缀为“H”
无卤素产品
符合RoHS的产品包装代号后缀“G”
ry
0.031 （ 0.8 ）典型值。
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
设备标记和订购信息
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
,
航运
设备
记号
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
8050HPLT1
方法2026
1HA
1
0.031 （ 0.8 ）典型值。
BASE
3000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
8050HSLT1
1HG
最大额定值和电气特性
在25 ℃评分
评级
最大
环境温度，除非另有规定。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
符号
等级
对于容性负载，减免电流20 ％
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
im
V
EBO
12
I
C
20
14
集电极 - 基
评级
电压
记号
发射极 - 基极电压
CODE
最大RMS电压
25
V
40
V
符号
V
CBO
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
13
5
30
1500
21
30
14
40
28
40
Pr
el
INA
最大
单位
V
15
50
MADC
35
50
•
8050HQLT1
极性：由阴极频带指示
1HC
安装位置：任意
•
8050HRLT1
1HE
•
重量：的逼近0.011克
2
辐射源
尺寸以英寸（毫米）
集电极电流continuoun
最大的经常峰值反向电压
16
60
42
60
1.0
30
40
120
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
热特性
最大直流阻断电压
特征
最大正向平均整流电流
T
A
=25°C
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
减免上述25℃
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
符号
P
D
20
最大
225
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
器件总功耗FR - 5局， （ 1 ）
I
FSM
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
R
θ
J A
P
D
热阻，结到环境
556
-55到+125
300
1.8
-55到+150
-
65
到+175
器件总功耗
存储温度范围
氧化铝基板， （ 2 ） TA = 25°C
最大正向电压在1.0A DC
最大
热阻，结
@T
环境
在平均反向电流
to
A=25℃
额定阻断电压DC
@T A = 125 ℃
减免上述25℃
特征
mW
毫瓦/°C的
0.70
° C / W
°C
0.85
0.5
10
0.9
0.92
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
V
F
I
R
2.4
0.50
R
θ
J A
T
j,
T
S
t
g
417
-55到+150
结温和存储温度
注意事项：
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
2012-
2012-06
威伦电子股份有限公司
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
