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2SK3019TT1 参数 Datasheet PDF下载

2SK3019TT1图片预览
型号: 2SK3019TT1
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内容描述: SOT- 523塑料-ENC apsulate MOSFET, [SOT-523 Plastic-Enc apsulate MOSFETS]
分类和应用:
文件页数/大小: 3 页 / 425 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
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1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
批量处理的设计,出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装,以便应用程序
优化电路板空间。
低功耗,高效率。
高电流能力,低正向电压降。
高浪涌能力。
Guardring过电压保护。
超高速开关。
硅外延平面芯片,金属硅交界处。
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
SOT- 523塑封装
MOSFET的
特点
威伦
FM120-M
THRU
2SK3019TT1
FM1200-M
无铅产品
包装外形
外形绘图
SOT-523
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 ( 0.3 )典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
SOD-123H
机械数据
.004(0.10)MIN.
.035(0.90)
.028(0.70)
环氧树脂: UL94 -V0额定阻燃
案例:模压塑料, SOD- 123H
,
端子:镀金端子,符合MIL -STD- 750焊接的
方法2026
.067(1.70)
.059(1.50)
0.031 ( 0.8 )典型值。
极性:由阴极频带指示
安装位置:任意
重量:的逼近0.011克
尺寸以英寸(毫米)
最大额定值和电气特性
 
.014(0.35)
.008(0.20)
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
评级
.010(0.25)
标识代码
12
13
14
15
16
18
10
115
.004(0.10)
150 120
.043(1.10)
20
30
40
50
60
80
100
200
最大的经常峰值反向电压
V
RRM
14
21
28
35
42
56
70
105
140
.035(0.90)
最大RMS电压
V
RMS
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
在25 ℃的环境温度,除非另有规定等级。
单相半波,60赫兹,感性负载的电阻。
对于容性负载,减免电流20 %
.069(1.75)
.057(1.45)
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 ( 0.8 )典型值。
V
DC
I
O
 
I
FSM
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
20
30
40
50
60
1.0
 
30
80
100
150
200
安培
 
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
 
安培
典型热阻(注2 )
典型结电容(注1 )
工作温度范围
 
 
-55到+125
40
120
 
 
-55到+150
℃/W
PF
.004(0.10)MAX.
存储温度范围
 
特征
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
 
 
-
65
到+175
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
单位
.035(0.90)
.028(0.70)
V
F
@T A = 125 ℃
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
 
毫安
注意事项:
2-热阻结点到环境
.014(0.35)
.006(0.15)
I
R
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
 
 
尺寸以英寸(毫米)
2012-06
威伦电子股份有限公司。
REV.D
2012-0
威伦电子股份有限公司。