威伦
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
包
SOT- 523塑封装
MOSFET的
FM120-M
THRU
2SK3019TT1
FM1200-M
无铅产品
包装外形
N沟道MOSFET
特点
特点
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
SOD-123H
低导通电阻
•
低调的表面安装，以便应用程序
SOT-523
优化电路板空间。
快
开关速度
0.146(3.7)
•
低功耗，高效率。
0.130(3.3)
低
电压驱动
使该器件非常适用于便携式设备
•
高电流能力，低正向电压降。
易于设计
DRIVE
电路
•
高浪涌能力。
1
过电压保护。
•
Guardring
并行
1.门
便于
•
超高速开关。
2.源
无铅封装可用
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
3.排水
符合RoHS的产品
环境标准
•
无铅零件符合
包装代号后缀“G”
of
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
对于无卤素产品包装代号后缀为“H”
•
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
无卤素产品的包装代号后缀"H"
机械数据
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
MOSFET
:
最大额定值（T
a
= 25 ° C除非另有说明）
•
案例模压塑料， SOD- 123H
0.031 （ 0.8 ）典型值。
,
单位
符号参数
终端，每MIL -STD- 750
价值
•
端子：镀
V
DS
等效电路
标记： KN
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
R
θJA
P
D
•
极性：由阴极频带指示
栅源电压
V
GSS
•
安装位置：任意
连续漏电流
I
D
•
重量：的逼近0.011克
功耗
漏源
电压
方法2026
30
±20
0.1
833
0.15
150
-55~+150
V
V
A
℃
/W
W
℃
℃
10
100
70
最大
100
115
150
105
单位
150
120
200
140
200
尺寸以英寸（毫米）
热阻，结到环境
最大额定值和电气特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
结温
T
J
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
为
T
英镑
容性负载，减免电流20 ％
储存温度
MOSFET
标识代码
电气特性（T
a
= 25 ℃除非另有规定）
12
13
14
15
16
18
V
RRM
V
DC
I
O
20
30
40
50
60
60
80
14
21
V
RMS
测试条件
符号
20
30
28
40
35
50
42
民
1.0
30
40
0.8
120
56
典型值
80
评级
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
伏
伏
伏
安培
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
参数
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
开关特性
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
V
DS
V
GS
= 0V时，我
D
= 10µA
30
V
1
µA
µA
V
Ω
Ω
mS
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
0.9
I
DSS
I
FSM
V
DS
=30V,V
GS
= 0V
V
DS
= 3V ，我
D
=100µA
V
GS
= 4V ，我
D
= 10毫安
V
GS
=2.5V,I
D
=1mA
V
DS
= 3V ，我
D
= 10毫安
0.50
0.70
-55到+125
安培
℃/W
PF
℃
℃
栅 - 源漏电流
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
栅极阈值电压
工作温度范围
存储温度范围
I
GSS
θJA
V
GS
=±20V, V
DS
= 0V
R
C
V
GS （ TH）
J
T
J
TSTG
R
DS （ ON）
±1
1.5
8
13
-55到+150
漏源导通电阻
正向跨导
特征
-
65
到+175
最大正向电压在1.0A DC
额定阻断电压DC
输入电容
g
FS
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
单位
动态特性*
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
@T A = 125 ℃
C
国际空间站
V
F
I
R
20
0.85
0.5
10
0.92
伏
毫安
13
9
4
15
产量
注意事项：
电容
C
OSS
C
RSS
V
DS
=5V,V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
反向传输电容
开关特性*
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
=5V, V
DD
=5V,
I
D
= 10毫安， RG = 10Ω ，R
L
=500Ω,
35
80
80
2012-06
*这些参数都无从查证。
威伦电子股份有限公司。
2012-0
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
