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型号: 2SD1766
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内容描述: SOT- 89塑封装晶体管 [SOT-89 Plastic-Encapsulate Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 502 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
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SOT- 89塑封装晶体管
-20V- 200V
1.0A表面贴装肖特基二极管
典型特征
700
威伦
FM120-M
2SD1766
THRU
FM1200-M
C
SOD-123
1000
FE
无铅全国生产
批量处理的设计,出色的功耗报价
常见
h
FE
特点
静态特性
包装外形
h
——
I
T
a
=100
辐射源
更好的反向漏电流和耐热性。
T
a
=25
低调的表面安装,以便应用程序
2.0mA
优化电路板空间。
1.8mA
500
低功耗,高效率。
1.6mA
400
高电流能力,低正向电压降。
1.4mA
高浪涌能力。
1.2mA
300
Guardring过电压保护。
1.0mA
超高速开关。
0.8mA
200
硅外延平面芯片,金属硅交界处。
0.6mA
0.4mA
无铅零件符合环保标准
100
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
I
B
=0.2mA
0
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
0
1
2
3
4
无卤素产品的包装代号后缀"H"
5
600
SOD-123H
(MA )
直流电流增益
T
a
=25
0.146(3.7)
0.130(3.3)
I
C
集电极电流
0.012 ( 0.3 )典型值。
100
0.071(1.8)
0.056(1.4)
共发射极
V
CE
= 3V
10
1
10
100
1000
2000
机械数据
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
集电极电流
I
C
(MA )
0.040(1.0)
0.024(0.6)
集电极 - 发射极饱和
电压V
CESAT
(毫伏)
V
额定火焰
环氧树脂: UL94 -V0
BESAT
—— I
C
阻燃
1000
300
β=10
案例:模压塑料, SOD- 123H
,
800
端子:镀金端子,符合MIL -STD- 750焊接的
基射极饱和
电压V
BESAT
(毫伏)
V
CESAT
β=10
0.031 ( 0.8 )典型值。
——
I
C
0.031 ( 0.8 )典型值。
方法2026
T =25
a
100
T
a
=100
极性:由阴极频带指示
安装位置:任意
T =100
400
重量:的逼近0.011克
600
a
尺寸以英寸(毫米)
T
a
=25
10
最大额定值和电气特性
200
 
在25 ℃的环境温度,除非另有规定等级。
单相半波,60赫兹,感性负载的电阻。
0
对于容性负载,减免电流20 %
100
0.1
1
10
1000 2000
评级
标识代码
2000
1
0.1
1
10
100
1000 2000
集热CURREMT
I
C
(MA )
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
集热CURREMT
I
C
(MA )
V
BE
——
I
C
最大的经常峰值反向电压
1000
最大
(MA )
共发射极
V
电压
RMS
CE
=3V
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
 
I
FSM
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
12
20
(兆赫)
1000
13
30
21
30
14
20
最大直流阻断电压
T =1
00
a
T
a
=25
共发射极
V
CE
=5V
28
35
14
40
40
15
f
T
—— I
C
16
50
60
42
60
1.0
 
30
50
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
集电极电流
 
跃迁频率
最大正向平均整流电流
I
C
100
f
T
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
10
T =2
5
a
 
 
100
典型热阻(注2 )
典型结电容(注1 )
1
工作温度范围
存储温度范围
 
 
 
-55到+125
10
40
120
-
65
到+175
 
-55到+150
 
0.1
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
BASE- EMMITER电压
特征
5
10
V
BE
(V)
集热器
FM160-MH
(MA )
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 -MH
电流I
C
FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
40
100
最大正向电压在1.0A DC
C
ob
/C
ib
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
1000
额定阻断电压DC
 
——
V
CB
/V
EB
V
F
f=1MHz
I
E
=0/I
C
=0
T
a
=25
0.50
600
@T A = 125 ℃
C
ib
I
R
P
C
0.70
——
0.5
10
T
a
0.85
0.9
0.92
 
注意事项:
(PF )
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
100
电容
集电极耗散功率
P
C
( mW)的
400
 
 
2-热阻结点到环境
C
C
ob
10
200
2012-06
1
0.1
0
1
10
30
0
25
50
75
反向电压
V
(V)
环境温度
威伦电子COR
T (
)
100
125
150
a
2012-
0
威伦电子股份有限公司。