SOT-89
表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
1.0A
塑料封装晶体管
SOD-123
晶体管（ NPN ）
设计，出色的功耗报价
•
批量处理
特点
更好的反向漏电流和耐热性。
•
低调的表面安装，以便应用程序
低
优化电路板空间。
V
CE （ SAT ）
.V
CE （ SAT ）
=0.16V(Typ.)(I
C
/I
B
=2A/0.2A)
•
低功耗，高
可用的
无铅封装
EF网络效率。
•
高电流能力，低正向电压降。
符合RoHS的产品包装代号后缀“G”
•
高浪涌能力。
•
Guardring过电压
填料
无卤素产品
保护。
代码后缀“H”的
•
超高速开关。
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
•
无铅零件符合环保标准
最大额定值（T
a
=25
℃
除非另有说明）
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
•
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
价值
符号
参数
单位
无卤素产品的包装代号后缀"H"
威伦
FM120-M
2SD1766
THRU
FM1200-M
包
无铅全国生产
特点
包装外形
SOT-89
1.
BASE
2.
集热器
3.
辐射源
SOD-123H
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
集电极 - 基
数据
机械
电压
40
V
0.040(1.0)
0.024(0.6)
环氧树脂： UL94 -V0
电压
•
集电极 - 发射极
额定阻燃
32
V
案例：模压塑料，
•
发射极 - 基极电压
SOD-123H
5
V
,
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
集电极电流 - 连续
方法2026
2
A
•
集热器
:
耗散
阴极带
500
极性指示由
150
安装位置：任意
•
结温
•
存储
:
温度
0.011克
-55-150
重量的逼近
mW
℃
℃
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
电气特性（T
a
= 25 ℃除非另有规定）
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
参数
符号
对于容性负载，减免电流20 ％
测试条件
民
典型值
最大
单位
评级
集电极 - 基极击穿电压
标识代码
最大的经常峰值反向电压
集电极 - 发射极击穿电压
符号
FM120-M
FM130-MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH
40
V
（ BR ） CBO
I
C
=50μA,
H
I
E
=0
FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
V
V
（ BR ） CEO
V
RRM
V
RMS
12
13
20
I
C
= 1mA时，我
B
=0
30
14
21
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
32
42
60
5
1.0
30
40
82
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
V
105
120
200
140
200
发射极 - 基极击穿电压
最大直流阻断电压
最大正向平均
集电极截止电流
整流电流
最大RMS电压
V
（ BR ） EBO
DC
I
E
= 50μA ，我
C
=0
20
30
V
I
CBO
I
O
V
CB
= 20V ，我
E
=0
V
150
μA
μA
1
1
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
I
EBO
I
FSM
V
EB
= 4V ，我
C
=0
发射极截止电流
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
DC
典型热阻（注2 ）
电流增益
R
h
FE(1)
θJA
V
CE
= 3V ，我
C
=500mA
-55〜
T
V
CE （ SAT ）
J
I
C
= 2A ，我
B
=0.2A
+125
TSTG
典型结电容（注1 ）
存储温度范围
C
J
120
100
390
V
兆赫
0.9
pF
0.92
工作温度范围
集电极 - 发射极饱和电压
-
65
到+175
-55到+150
0.8
跃迁频率
f
T
V
CE
= 5V ，我
C
= 50mA时F = 100MHz的
0.70
0.5
10
特征
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
最大正向电压在1.0A
集电极输出电容
DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
分类h及
FE(1)
0.50
C
ob
V
F
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
@T A = 125 ℃
0.85
30
额定阻断电压DC
I
R
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
秩
P
注意事项：
Q
120-270
DBQ
R
180-390
DBR
范围
记号
2-热阻结点到环境
82-180
DBP
2012-06
威伦电子COR
2012-
0
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
