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型号: 2SB1188
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内容描述: SOT- 89塑封装晶体管 [SOT-89 Plastic-Encapsulate Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 531 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
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威伦
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V-
SOT- 89塑封装晶体管
200V
SOD-123
1000
FM120-M
2SB1188
FM1200-M
I
C
THRU
h
FE
静态特性
-0.7
——
无铅产品
更好的反向漏电流和耐热性。
-1.8mA
-0.5
低调的表面安装,以便应用程序
-1.6mA
优化电路板空间。
-0.4
-1.4mA
低功耗,高效率。
下降。
高电流能力,低正向电压
-1.2mA
-0.3
高浪涌能力。
-1.0mA
-0.8mA
Guardring过电压保护。
-0.2
-0.6mA
超高速开关。
-0.4mA
-0.1
硅外延平面芯片,金属硅交界处。
I
B
=-0.2mA
无铅零件符合环保标准
-0.0
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
-0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
包装代号后缀"G"
符合RoHS的产品
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
无卤素产品的包装代号后缀"H"
I
C
集电极电流
(A)
h
FE
-0.6
批量处理的设计,出色的功耗报价
-2.0mA
特点
共发射极
T
a
=25
包装外形
T
a
=100
T
a
=25
SOD-123H
直流电流增益
100
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 ( 0.3 )典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
共发射极
V
CE
= -3V
10
-5
-10
-100
-1000
-2000
集电极电流
I
C
(MA )
V
机械数据
-1000
CESAT
——
I
C
-2000
V
BESAT
——
I
C
集电极 - 发射极饱和
电压V
CESAT
(毫伏)
基射极饱和
电压V
BESAT
(毫伏)
环氧树脂: UL94 -V0额定阻燃
案例:模压塑料, SOD- 123H
,
端子:镀金端子,符合MIL -STD- 750焊接的
-100
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 ( 0.8 )典型值。
-1000
0.031 ( 0.8 )典型值。
方法2026
T
a
=25
极性:由阴极频带指示
安装位置:任意
T =100
-10
重量:的逼近0.011克
a
尺寸以英寸(毫米)
T
a
=100
最大额定值和电气特性
β=10
-100
-0.1
-1
-10
-100
-1000 -2000
T
a
=25
 
在25 ℃的环境温度,除非另有规定等级。
β=10
-1
单相
-1
半波,60赫兹,感性负载的电阻。
-1000 -2000
-10
-100
集热CURREMT我
C
(MA )
对于容性负载,减免电流20 %
评级
I
C
——
标识代码
(MA )
-2000
集热CURREMT
I
C
(MA )
V
BE
C
ob
/C
ib
—— V
CB
/V
EB
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
-100
最大直流阻断电压
-1000
V
RRM
V
RMS
V
DC
12
20
14
20
13
30
(PF )
300
14
40
28
40
15
50
35
50
C
ib
16
60
42
60
1.0
 
30
40
120
18
80
56
80
10
f=1MHz
I
E
=0/I
100
C
=0
70
T
a
=25
115
150
105
150
120
200
140
200
21
100
集电极电流
T=
a
10
0
T=
a
25
 
电容
最大正向平均整流电流
I
O
 
I
FSM
R
θJA
C
J
共发射极
T
J
V
CE
= -3V
C
30
C
ob
100
I
C
安培
-10
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
 
 
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
10
安培
典型热阻(注2 )
-1
工作温度范围
-0.1
存储温度范围
 
典型结电容(注1 )
 
-55到+125
-1200
1
-0.1
 
-55到+150
-10
-20
℃/W
PF
 
-
65
到+175
-1
 
600
-0
-200
-400
-600
-800
TSTG
-1000
BASE- EMMITER电压V
BE
(毫伏)
反向电压
V
(V)
特征
P
C
最大正向电压在1.0A DC
——
集电极耗散功率
P
C
( mW)的
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
单位
T
a
V
F
I
R
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
 
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
500
 
@T A = 125 ℃
MAMP
注意事项:
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
400
 
 
2-热阻结点到环境
300
200
100
0
2012-06
0
25
50
75
100
125
150
环境温度
T
a
(
)
威伦电子股份有限公司。
2012-
0
威伦电子股份有限公司。