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2SB1188 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SB1188
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内容描述: SOT- 89塑封装晶体管 [SOT-89 Plastic-Encapsulate Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 531 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
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SOT- 89塑封装晶体管
晶体管( PNP )
特点
低V
CE ( SAT )
.V
CE ( SAT )
= -0.5V (典型值)。 (我
C
/I
B
= -2A / -0.2A)
补充2SD1766
重量: 0.05克
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
2SB1188
SOT-89
1.基地
1
2.收集
2
3.辐射源
3
最大额定值(T
A
=25
除非另有说明)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基
电压
价值
-40
-32
-5
-2
0.5 (2.0*)
150
-55-150
单位
V
V
V
A
W
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
结温
储存温度
*
当安装在一个40 * 40 * 1毫米陶瓷板。
电气特性(除非另有规定环境温度Tamb = 25℃)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益*
集电极 - 发射极饱和电压*
跃迁频率
输出电容
符号
V
( BR ) CBO
TEST
条件
-40
-32
-5
-1
-1
82
390
-0.8
100
50
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
I
C
= -50μA ,我
E
=0
I
C
= -1mA ,我
B
V
( BR ) CEO
= 0
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
I
E
= -50μA ,我
C
=0
= 0
V
CB
= -20 V,I
E
= 0
V
EB
= -4 V,I
C
V
CE
= -3V,
I
C
= -0.5A
I
C
= -2A ,我
B
= -0.2A
V
CE
= -5V ,我
C
= -0.5A , F = 30MHz的
V
CB
= -10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
f
T
C
ob
OF
h
FE
P
82-180
BCP
2SB1188P
*
利用脉冲电流测量。
分类
范围
记号
P / N
Q
120-270
BCQ
2SB1188Q
R
180-390
BCR
2SB1188
2012-
0
威伦电子股份有限公司。