WCSS0418V1P
写周期说明
[4, 5, 6]
功能
读
读
写字节0 - DQ
[7:0]
写字节1 - DQ
[15:8]
写字节1,0
写字节2 - DQ
[23:16]
写字节2,0
写字节2 ， 1
写字节2 ， 1 ， 0
写字节3 - DQ
[31:24]
写字节3,0
写字节3,1
写字节3 ， 1,0
写字节3 ， 2
写字节3 ， 2 ， 0
写字节3 ， 2 ， 1
写的所有字节
写的所有字节
GW
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0
BWE
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
X
BW
3
X
1
1
1
1
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
X
BW
2
X
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
X
BW
1
X
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
X
BW
0
X
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
X
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度
..................................... −65°C
至+ 150°C
环境温度与
电源应用................................................ ..
−55°C
至+ 125°C
在V电源电压
DD
相对于GND .........- 0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[7]
....................................... −0.5V
到V
DD
+ 0.5V
直流输入电压
[7]
.................................... −0.5V
到V
DD
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ........................................ 20毫安
静电放电电压.......................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... >200毫安
工作范围
范围
Com'l
产业
环境
温度
[8]
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
DD
3.3V
−5%/+10%
V
DDQ
2.5V
−5%
3.3V +10%
注意事项：
4. X = “无关， ” 1 =逻辑高电平， 0 =逻辑低电平。
5. SRAM始终启动一个读周期时的ADSP认定时，无论毛重， BWE ，或BW的状态
[1:0]
。写只能在下一时钟发生
在ADSP后或ADSC的说法。其结果是，原始设备必须被驱动为高电平的写周期开始之前，以使输出到三态。 OE是
一个不小心的写周期的剩余部分。
6. OE是异步的，并且不采样与时钟的上升。它是在写周期内屏蔽。在读周期的DQ
[15:0]
; DP
[1:0]
=高阻时， OE是
处于非活动状态，或当装置被选中，和DQ
[15:0]
; DP
[1:0]
=当OE为活跃的数据。
7.最小电压等于
−2.0V
对于小于20纳秒的脉冲持续时间。
8. T
A
是的情况下的温度。
文件编号： 38-05247
第17页第7
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