欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

WCMA1016U4X 参数 Datasheet PDF下载

WCMA1016U4X图片预览
型号: WCMA1016U4X
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 64K ×16静态RAM [64K x 16 Static RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 11 页 / 309 K
品牌: WEIDA [ WEIDA SEMICONDUCTOR, INC. ]
 浏览型号WCMA1016U4X的Datasheet PDF文件第1页浏览型号WCMA1016U4X的Datasheet PDF文件第2页浏览型号WCMA1016U4X的Datasheet PDF文件第3页浏览型号WCMA1016U4X的Datasheet PDF文件第5页浏览型号WCMA1016U4X的Datasheet PDF文件第6页浏览型号WCMA1016U4X的Datasheet PDF文件第7页浏览型号WCMA1016U4X的Datasheet PDF文件第8页浏览型号WCMA1016U4X的Datasheet PDF文件第9页  
WCMA1016U4X
交流测试负载和波形
R1
V
CC
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
上升时间:
1 V / ns的
V
CC
典型值
GND
10%
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间:
1 V / ns的
相当于:
戴维南等效
RTH
产量
V
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
3.3V
1213
1378
645
1.75
单位
数据保持特性
(在整个工作范围内)
参数
V
DR
I
CCDR
t
CDR[4]
t
R[5]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
V
CC
= 2.0V
CE > V
CC
0.3V,
V
IN
& GT ; V
CC
0.3V或V
IN
& LT ; 0.3V
0
t
RC
条件
分钟。
2.0
0.5
典型值。
马克斯。
3.6
15
单位
V
µA
ns
ns
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
V
CC(分钟)
t
CDR
V
DR
> 2.0 V
V
CC(分钟)
t
R
CE或
BHE.BLE
注意事项:
5.全面的设备运行需要的线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC(分钟)
& GT ;
100
µs
或稳定在V
CC(分钟)
& GT ;
100
µs.
6. BHE.BLE既BHE和BLE的和。芯片可以通过禁用该芯片使能信号或通过禁用这两个BHE和BLE被取消。
4