WCMA1008C1X
开关特性
在整个工作范围
55
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
写周期时间
CE
1
低到写入结束，CE
2
HIGH到写入结束
地址建立撰写完
从写地址保持
结束
地址建立撰写
开始
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
WE低到高Z
55
45
45
0
0
45
25
0
5
20
70
60
60
0
0
50
30
0
5
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从报告数据保持
变化
CE
1
低到数据有效，CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
CE
1
低到低Z ，CE
2
高到低Z
CE
1
高来高Z， CE
2
低到高Z
CE
1
低到电， CE
2
HIGH到Power -UP
CE
1
高到低功耗模式，
CE
2
低到掉电
0
55
5
20
0
70
0
20
5
25
5
55
20
0
25
55
55
5
70
35
70
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
分钟。
70
马克斯。
单位
注意事项：
4.测试条件假设为5纳秒或更小的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并输出负载
指定I
OL
/I
OH
100 - pF负载电容。
5.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
6. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
被指定采用5 pF的负载电容在交流测试负载（b）部分。过渡测
±
500毫伏的稳态电压。
7.存储器的内部写入时间由CE的重叠限定
1
LOW和CE
2
高，和WE为低电平。 CE
1
我们必须较低， CE
2
高启动
写，和任何这些信号的过渡可以终止写操作。输入数据的建立时间和保持时间应参考信号的前沿
终止写入。
第11 4
WEIDA [ WEIDA SEMICONDUCTOR, INC. ]
