欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

WCFS1008V1C 参数 Datasheet PDF下载

WCFS1008V1C图片预览
型号: WCFS1008V1C
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 128K ×8静态RAM [128K x 8 Static RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 175 K
品牌: WEIDA [ WEIDA SEMICONDUCTOR, INC. ]
 浏览型号WCFS1008V1C的Datasheet PDF文件第1页浏览型号WCFS1008V1C的Datasheet PDF文件第2页浏览型号WCFS1008V1C的Datasheet PDF文件第3页浏览型号WCFS1008V1C的Datasheet PDF文件第5页浏览型号WCFS1008V1C的Datasheet PDF文件第6页浏览型号WCFS1008V1C的Datasheet PDF文件第7页浏览型号WCFS1008V1C的Datasheet PDF文件第8页  
WCFS1008V1C
数据保持特性
在整个工作范围
参数
V
DR
t
CDR[3]
t
R
描述
V
CC
数据保留
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
条件
没有输入可能超过V
CC
+ 0.5V
V
CC
= V
DR
= 2.0V,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
& GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
& LT ; 0.3V
分钟。
2.0
0
200
马克斯。
单位
V
ns
µs
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
3.0V
t
CDR
CE
V
DR
& GT ; 2V
3.0V
t
R
开关波形
读周期1号
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
数据有效
读周期2号( OE控制)
地址
t
RC
CE
t
ACE
OE
t
HZOE
t
美国能源部
数据输出
V
CC
供应
当前
t
LZOE
高阻抗
t
LZCE
t
PU
50%
t
HZCE
数据有效
t
PD
50%
ISB
ICC
阻抗
注意事项:
9.设备不断选择。 OE ,CE = V
IL
.
10.我们是高读周期。
11.地址之前或暗合了CE变为低电平有效。
4