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WCSS0418V1P-100BGC 参数 Datasheet PDF下载

WCSS0418V1P-100BGC图片预览
型号: WCSS0418V1P-100BGC
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内容描述: 256K ×18的同步流水线高速缓存RAM [256K x 18 Synchronous-Pipelined Cache RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 17 页 / 662 K
品牌: WEIDA [ WEIDA SEMICONDUCTOR, INC. ]
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WCSS0418V1P  
Switching Waveforms  
Write Cycle Timing[14, 15]  
Single Write  
Burst Write  
Pipelined Write  
t
Unselected  
CH  
t
CYC  
CLK  
t
ADH  
t
ADS  
t
ADSP ignored with CE inactive  
CL  
1
ADSP  
ADSC  
ADV  
t
ADH  
t
ADSC initiated write  
ADS  
t
t
ADVH  
ADVS  
t
ADV Must Be Inactive for ADSP Write  
WD2  
AS  
WD3  
ADD  
GW  
WE  
WD1  
t
AH  
t
WH  
t
WH  
t
WS  
t
WS  
t
t
CES  
CEH  
CE masks ADSP  
1
CE  
1
t
t
CEH  
CES  
Unselected with CE  
2
CE  
2
CE  
3
t
CES  
t
CEH  
OE  
t
DH  
t
DS  
High-Z  
High-Z  
Data  
In  
3a  
2a  
= UNDEFINED  
1a  
2b  
2c  
2d  
= DON’T CARE  
Notes:  
14. WE is the combination of BWE, BW[1:0], and GW to define a write cycle (see Write Cycle Description table).  
15. WDx stands for Write Data to Address X.  
Document #: 38-05247  
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