VIS
23,56,24,
57
DQM0-
DQM3
97,98,100,
1,3,4,6,7,
60,61,63,
64,68,69,
71,72,9,
10,12,13,
17,18,20,
21,74,75,
77, 78,80,
81, 83, 84
30,36-45,
52,86-95
58
DQ0-
DQ31
初步
VG4616321B/VG4616322B
262,144x32x2-Bit
CMOS同步图形RAM
输入
数据输入/输出面膜：
DQM0 - DQM3是字节具体的，非持久的I / O缓冲区
控制。在I / O缓冲区被放置在一个高阻抗状态，当DQM采样为高电平。
当DQM是在写周期采样到高电平的输入数据被屏蔽。输出数据
被屏蔽（双时钟延迟）时， DQM是在一个读周期采样为高。
DQM3口罩DQ31 - DQ24 ， DQM2口罩DQ23 - DQ16 ， DQM1口罩DQ15 - DQ8 ，
和DQM0口罩DQ7 - DQ0 。
输入/
数据I / O ：
该DQ0-31的输入和输出数据与正同步
CLK的输出边缘。在I / O是字节屏蔽期间读取和写入。 DQS的还
作为列/字节掩码输入过程中块写操作。
NC
-
无连接：
这些引脚悬空。
NC / VREF - /输入无连接/输入基准电压源：它必须是未连接时， LVTTL
接口用于在SGRAM 。它必须适用于Vref的（ 1.5V）时， SSTL- 3
接口用于在SGRAM 。
V
DDQ
供应
DQ功率：
提供隔离电源的DQ为提高抗干扰能力。
2,8,14,22,
59,67,73,
79
5,11,19,
62,70,76,
82,99
15,35,65,
96
16,46,66,
85
V
SSQ
供应
DQ地：
提供隔离地面的DQ为提高抗干扰能力。
V
DD
V
SS
供应
电源：
+3.3V
供应
地
±
0.3V
文档： 1G5-0145
Rev.1
第5页
VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]
