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VG36646141BT-10 参数 Datasheet PDF下载

VG36646141BT-10图片预览
型号: VG36646141BT-10
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内容描述: CMOS同步动态RAM [CMOS Synchronous Dynamic RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 70 页 / 973 K
品牌: VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]
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VIS
参数
CAS
潜伏期
3
2
CLK到有效输出延迟
3
2
CLK高脉冲宽度
CLK低脉冲宽度
CKE建立时间
CKE保持时间
地址建立时间
地址保持时间
命令设置时间
命令保持时间
数据输入建立时间
数据输入保持时间
输出数据保持时间
CLK在低输出 - z
CLK在H输出 - z
3
2
CLK在高输出 - z空载
行积极主动延迟
RAS到CAS延迟
行预充电时间
行活动时间
行周期时间
在最后的数据以突发停止
数据 - 到ACT ( REF )命令
数据 - 在预充电
转换时间
模式寄存器。集周期
掉电退出设置时间
自刷新退出时间
刷新时间
CLK周期时间
初步
VG36641641BT
CMOS同步动态RAM
A. ç特点: (大= 0 〜70 ℃, V
DD
= 3.3V 0.3V, V
SS
= 0V)
VG36641641B
符号
t
ck3
t
ck2
t
Ac3
t
Ac2
t
CH
t
CL
t
中正
t
长实
t
AS
t
AH
t
CMS
t
CMH
t
DS
t
DH
t
OH
t
LZ
t
HZ
2.5
2.5
2
1
2
1
2
1
2
1
3
0
5
6
t
OHN
t
RRD
t
RCD
t
RP
t
RAS
t
RC
t
BDL
t
DAL
t
DPL
t
T
t
RSC
t
PDE
t
SRX
t
REF
1.8
14
20
20
40
60
1
1+ t
RP
1
1
2
2
1
64
10
120K
1.8
16
20
20
48
68
1
1+t
RP
1
1
2
2
1
64
10
120K
7
10
5
6
3
3
2
1
2
1
2
1
2
1
3
0
6
6
ns
ns
ns
ns
ns
ns
CLK
CLK
CLK
ns
CLK
ns
CLK
ms
-7
最大
8
10
6
6
-8
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
文档: 1G5-0127
Rev2
第7页