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VG36646141BT-10 参数 Datasheet PDF下载

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型号: VG36646141BT-10
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内容描述: CMOS同步动态RAM [CMOS Synchronous Dynamic RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 70 页 / 973 K
品牌: VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]
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VIS
绝对最大额定值直流
参数
任何引脚相对于VSS的电压
电源电压相对于Vss
短路输出电流
功耗
工作温度
储存温度
初步
VG36641641BT
CMOS同步动态RAM
符号
V
IN
, V
OUT
V
DD
, V
DDQ
I
OUT
P
D
T
选择
T
英镑
价值
-0.5〜 + 4.6
-0.5〜 + 4.6
50
1.0
0至+ 70
-55〜 + 125
单位
V
V
mA
W
°C
°C
小心
该设备暴露在压力超过上述绝对最大额定值可能会导致
peumanent伤害。该装置并不意味着超出限制的条件下操作
在本说明书中的操作部分中描述。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
最大限度的为LVTTL兼容AC操作要求
参数
输入高电压
输入低电压
符号
V
IH
V
IL
2.0
V
SSQ
-2.0
最大
V
DDQ
+ 2.0
0.8
单位
V
V
笔记
2
2
建议的直流工作条件LVTTL兼容
参数
电源电压
输入高电压,所有输入
输入低电压,所有输入
符号
V
DD,
V
DDQ
V
IH
V
IL
3.0
2.0
-0.3
典型值
3.3
-
-
最大
3.6
V
DD
+ 0.3
0.8
单位
V
V
V
电容
( TA = 25 ° C,F = 1MHz的)
参数
输入电容(所有输入引脚除外CLK引脚)
CLK引脚
数据输入/输出电容
符号
C
in
C
CLK
C
I / O
2.5
2.5
4.0
典型值
3.75
3.25
5.25
最大
5.0
4.0
6.5
单位
pF
pF
pF
笔记
1
1
1
注:1.电容与有效电容的测量方法进行测定。
2.过冲和下冲电压的持续时间
为3ns没有输入钳位二极管。
文档: 1G5-0127
Rev2
第4页