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    VG3617161DT-8 参数 Datasheet PDF下载

    VG3617161DT-8图片预览
    型号： VG3617161DT-8
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 16Mb的CMOS同步动态RAM [16Mb CMOS Synchronous Dynamic RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 70 页 / 942 K
    品牌： VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号VG3617161DT-8的Datasheet PDF文件第1页浏览型号VG3617161DT-8的Datasheet PDF文件第2页浏览型号VG3617161DT-8的Datasheet PDF文件第3页浏览型号VG3617161DT-8的Datasheet PDF文件第4页浏览型号VG3617161DT-8的Datasheet PDF文件第6页浏览型号VG3617161DT-8的Datasheet PDF文件第7页浏览型号VG3617161DT-8的Datasheet PDF文件第8页浏览型号VG3617161DT-8的Datasheet PDF文件第9页  
    VIS
    电容
    (Ta=25°C,f=1MHZ)
    初步
    VG3617161DT
    16Mb的CMOS同步动态RAM
    参数
    输入电容（CLK）
    输入电容（所有输入引脚，除了数据
    销）
    数据输入/输出电容
    符号
    C
    11
    C
    12
    C
    I / O
    典型值
    2.5
    2.5
    4.0
    最大
    4
    5
    6.5
    单位
    pF
    pF
    pF
    建议的直流工作条件（V
    DD
    = 3.3V
    描述/测试条件
    工作电流
    t
    ≥
    t
    ，输出打开
    RC RC
    (
    民
    )
    地址吨时更换一次
    CK （分钟）
    .
    突发长度= 1 （其中银行活动）
    预充电待机电流在非掉电模式
    t
    CK
    = t
    CK （分钟）
    ,
    CS
    ≥
    V
    I H
    （分钟）
    ， CKE
    ≥
    V
    I H
    （分钟）
    输入信号在30ns的一次改变。
    预充电待机电流在非掉电模式
    t
    CK
    =
    ∞
    ， CKE
    ≥
    V
    I H
    （分钟）
    ， CLK
    输入信号是稳定的
    预充电待机电流在掉电模式
    t
    CK
    = t
    CK
    （分钟） ， CKE
    ≤
    V
    I L
    （最大）
    预充电待机电流在掉电模式
    t
    CK
    =
    ∞
    ， CKE
    ≤
    V
    I L
    （最大）
    ， CLK
    ±
    0.3V ，TA = 0 〜 70 ° C）
    -5.5
    I
    DD1
    190
    -6
    185
    -7
    165
    -8
    145
    单位
    记
    3,4
    符号最小值。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。
    I
    DD2N
    95
    85
    75
    65
    3
    ≤
    V
    IL
    （最大）
    I
    DD2NS
    45
    40
    35
    30
    mA
    I
    DD2P
    4
    4
    4
    4
    3
    ≤
    V
    IL
    （最大）
    I
    DD2PS
    3.5
    3.5
    3.5
    3.5
    主动待机电流在非掉电模式
    CKE
    ≥
    V
    I H
    （分钟）
    , t
    CK
    = t
    CK （分钟）
    （两个银行Actioe ）
    主动待机电流在掉电
    CKE
    ≤
    V
    I L
    （最大）
    , t
    CK -
    t
    CK （分钟）
    ， CS
    ≥
    V
    IH（分钟）
    （两个
    银行主动）
    工作电流（页破灭，所有银行激活）
    t
    CCD
    = t
    的CCD （分钟）
    ，输出打开，多行交错，
    无缝数据
    刷新当前
    t
    RC
    ≥
    t
    RC
    （分钟）
    (t
    REF
    = 64毫秒）
    自刷新电流
    CKE
    I
    DD3N
    I
    DD3P
    85
    6
    75
    6
    65
    6
    55
    6
    3
    I
    DD4
    195
    185
    175
    165
    4,5
    I
    DD5
    I
    DD6
    185
    175
    165
    155
    3
    ≤
    0.2V
    4
    4
    4
    4
    文档： 1G5-0160
    Rev.1
    第5页

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