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VG26VS17405FJ 参数 Datasheet PDF下载

VG26VS17405FJ图片预览
型号: VG26VS17405FJ
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内容描述: 4194304 ×4 - 位CMOS动态RAM [4,194,304 x 4 - Bit CMOS Dynamic RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 27 页 / 245 K
品牌: VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]
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VIS
直流特性; 3.3 - 伏版(续)
(T
a
= 0至70℃
,
V
CC
= +3.3V (+10%,-5%)
, V
SS
= 0V)
VG26 (V)的(S) - 17405
-5
参数
输入漏电流
输出漏电流
符号
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
测试条件
0V
VIN
V
C C
+ 0.3V
0V
VOUT
V
CC
+ 0.3V
DOUT =禁用
输出高电压
输出低电压
I
OH
= -2mA
I
OL
= + 2毫安
2.4
-
-
0.4
2.4
-
-5
-5
最大
5
5
-5
-5
-6
VG26(V)(S)17405FJ
4194304 ×4 - 位
CMOS动态RAM
单位
最大
5
5
µA
µA
V
V
笔记
-
0.4
注意事项:
1. I
CC
被指定为一个平均电流。这取决于输出负载条件下,循环率时
设备被选择。我
CC
最大值被指定在输出开状态。
2.地址可以一次或更少的改变,而RAS = V
IL
.
3.我
CC4
,地址可以被一次或更少变更1页EDO模式的周期时间内。
文档: 1G5-0162
Rev.1
第9页