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VG26VS17405FJ 参数 Datasheet PDF下载

VG26VS17405FJ图片预览
型号: VG26VS17405FJ
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内容描述: 4194304 ×4 - 位CMOS动态RAM [4,194,304 x 4 - Bit CMOS Dynamic RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 27 页 / 245 K
品牌: VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]
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VIS
直流特性; 3.3 - 伏版本
(T
a
= 0至70℃
,
V
CC
= + 3.3V (+10%,-5%)
, V
SS
= 0V)
参数
符号
测试条件
VG26(V)(S)17405
-5
工作电流
I
CC1
RAS骑自行车
CAS ,骑自行车
t
RC
=分钟
LVTTL接口
RAS , CAS = V
IH
DOUT =高阻
CMOS接口
RAS , CAS
V
C C
-0.2V
待机
当前
DOUT =高阻
标准
动力
VERSION
LVTTL接口
RAS , CAS = V
IH
DOUT =高阻
CMOS接口
RAS , CAS
V
C C
-0.2V
DOUT =高阻
RAS-只刷新当前
EDO页面模式电流
CAS-直至─ RAS刷新
当前
自刷新电流
(S-版)
CAS-直至─ RAS长
刷新当前
(S-版)
I
CC3
I
CC4
I
CC5
I
CC8
I
CC9
RAS骑自行车, CAS = V
IH
t
RC
=分钟
t
PC
=分钟
t
RC
=分钟
RAS , CAS骑自行车
t
RASS
100µs
待机: VCC-
0.2V
RAS
RAS之前CAS刷新:
2048次/ 128ms的
RAS , CAS : 0V
V
IL
0.2V
VCC- 0.2V
V
IH
V
IH
(最大)
DOUT =高-Z ,T
RAS
300ns
-
-
-
-
-
120
90
120
250
300
-
-
-
-
-
-
2
-
-
最大
120
-
-6
VG26(V)(S)17405FJ
4194304 ×4 - 位
CMOS动态RAM
单位
笔记
最大
110
mA
1, 2
动力
S-版
I
CC2
-
0.5
-
0.5
mA
-
0.15
-
0.15
mA
2
mA
-
0.5
-
0.5
mA
110
80
110
250
300
mA
mA
mA
µA
µA
1, 2
1, 3
1, 2
文档: 1G5-0162
Rev.1
第8页