VG36641641BT 参数 Datasheet PDF下载

型号：	VG36641641BT
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内容描述：	CMOS同步动态RAM [CMOS Synchronous Dynamic RAM]
分类和应用：
文件页数/大小：	70 页 / 973 K
品牌：	VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]

VIS

A. C Characteristics : (Ta = 0 to 70°C V

= 3.3V

Test Conditions for LVTTL Compatible :

Preliminary

VG36641641BT

CMOS Synchronous Dynamic RAM

0.3V

= 0V)

Input timing reference level/

Output timing reference level

Output load condition

1.4V

50pF

AC input Levels (V

)

Input rise and fall time

2.0/0.8V

1ns

AC Test Load Circuits (for LVTTL interface) :

1.4V

DDQ

OUT

DDQ

Ω

Z = 50

Ω

50PF

Device

Under

Test

Document : 1G5-0127

Rev2

Page 6

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