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SI9956DY 参数 Datasheet PDF下载

SI9956DY图片预览
型号: SI9956DY
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内容描述: 双N通道20 -V (D -S )的MOSFET [Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管开关脉冲光电二极管
文件页数/大小: 5 页 / 90 K
品牌: VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
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Si9956DY
Vishay Siliconix公司
规格(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
b
漏源导通电阻
b
正向跨导
b
二极管的正向电压
b
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
I
D(上)
r
DS ( ON)
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V ,T
J
= 55_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V,I
D
= 2.2 A
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 1 A
V
DS
= 15 V,I
D
= 3.5 A
I
S
= 1.7 A,V
GS
= 0 V
14
0.082
0.12
6.5
0.75
1.2
0.10
0.20
1.0
"100
2
25
V
nA
mA
A
W
S
V
符号
测试条件
典型值
a
最大
单位
动态
a
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
I
F
= 1.7 A, di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 10 V ,R
L
= 10
W
V,
I
D
^
1 ,V
= 10 V R
G
= 6
W
A
V,
V
DS
= 10 V, V
GS
= 10 V I
D
= 1 8 A
V
V,
1.8
7
1.2
2.1
8
12
21
8
50
20
20
90
50
100
ns
30
nC
C
笔记
一。通过设计保证,不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士,
占空比
v
2%.
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2
文档编号: 70140
S- 00652 -REV 。 L, 27 -MAR- 00