Si9956DY
Vishay Siliconix公司
双N通道20 -V (D -S )的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
20
r
DS ( ON)
(W)
0.10 @ V
GS
= 10 V
0.20 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
"3.5
"2.0
D
1
D
1
D
2
D
2
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
D
1
D
1
D
2
D
2
S
1
N沟道MOSFET
S
2
N沟道MOSFET
G
1
G
2
绝对最大额定值(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流(T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流(二极管传导)
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
极限
20
"20
"3.5
"2.8
"14
1.7
2.0
单位
V
A
W
1.3
-55到150
_C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
笔记
一。表面安装在FR4板,T
v
10秒。
通过万维网SPICE模型信息: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm
文档编号: 70140
S- 00652 -REV 。 L, 27 -MAR- 00
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
符号
R
thJA
极限
62.5
单位
° C / W
1